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硅稳压二极管工作在反向击穿状态，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿。（）

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考题 稳压二极管是利用PN结的()特性进行稳压的。 A、正向导通B、反向截止C、反向击穿D、电容效应
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考题 若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()
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考题 稳压二极管也是由PN结构成的,但由于其掺杂重及散热条件好,并采用特殊的制造工艺,使其工作在二极管的反向击穿区,处于反向击穿状态,此时,管子两端的()几乎保持恒定,这就是所谓的稳压。 A、电压B、电阻C、电流D、电感
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考题 稳压二极管也是由PN结构成的,但由于其掺杂重及散热条件好,并采用特殊的制造工艺,使其工作在二极管的正反向击穿区,处于正反向击穿状态,此时,管子两端的电压几乎保持恒定,这就是所谓的稳压。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 反向电压引起反向电流急增时的PN结处于()状态,该状态是()二极管的稳压工作状态。
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考题 反向击穿是稳压二极管的正常工作状态，稳压管就是工作在反向击穿区。
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考题 硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
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考题 稳压二极管工作在反向电击穿状态下。
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考题 硅稳压二极管是工作在反向击穿状态下的。
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考题 硅稳压二极管应在反向击穿状态下工作。
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考题 稳压二极管工作在（）A、正向导通状态B、反向导通状态C、正向击穿状态D、反向击穿状态
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考题 硅稳压管正常工作时，是工作在PN结的（）。A、正向导通区B、死区C、反向截止区D、反向击穿区
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考题 PN结具有（），即加正向电压时，PN结处于（），加反向电压时，PN结处于（）。
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考题 PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
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考题 反向电压引起反向电流剧增时的PN结处于（）状态，该状态是（）二级管的工作状态，是（）二极管的故障状态。
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考题 稳压二极管是利用PN结的（）。A、单向导电性B、反向击穿性C、电容特性
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考题 外加反向电压，PN结中的耗尽层宽度将变宽。
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考题 把PN结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做（）特性。
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考题 PN结反向电压的数值增加，小于击穿电压时，（）。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变
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考题 PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（）。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变
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考题 稳压二极管在稳压状态时，它的PN结处在（）状态。A、反向截止B、反向击穿C、正向导通D、零偏
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考题 稳压二极管与普通二极管的区别包括（）、反向击穿电压较低、允许通过的电流较大、工作正常时处于反向击穿状态。
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考题 关于稳压二极管的特性，下列说法中正确的有（）A、它在正向击穿电压状态下工作B、当反向电压小于其击穿电压时，反向饱和电流近似为零C、当反向电压大于其击穿电压时，反向饱和电流急剧增大D、其内部结构与晶体三极管相似E、它在反向击穿电压状态下工作
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考题 在电子电路中，稳压二极管正常工作时是处于（）状态。A、反向截止B、饱和导通C、反向击穿D、正向导通
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考题 稳压管虽然工作在反向击穿区，但只要（）不超过允许值，PN结不会过热而损坏。A、电压B、反向电压C、电流D、反向电流
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考题 稳压二极管是利用PN结反向击穿的特性，运用特殊的工艺方法制成的。
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考题 填空题稳压二极管与普通二极管的区别包括（）、反向击穿电压较低、允许通过的电流较大、工作正常时处于反向击穿状态。
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