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问答题
DRAM为什么要刷新？RAM是如何实现寻址的？
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考题
下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中，正确的是（ ）。A．RAM分静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类B．SRAM的集成度比DRAM高C． DRAM的存取速度比SRAM快D．DRAM中存储的数据无须刷新
考题
下面关于随机存取存储器(RAM．的叙述中，正确的是A．静态RAM(SRAM．集成度低，但存取速度快且无须刷新B．DRAM的集成度高且成本高，常做Cache用C．DRAM的存取速度比SRAM快D．DRAM中存储的数据断电后不会丢失
考题
下面关于随机存取存储器(RAM．的叙述中，正确的是A．RAM分静态RAM(SRAM．和动态RAM(DRAM．两大类B．SRAM的集成度比DRAM高C．DRAM的存取速度比SRAM快D．DRAM中存储的数据无须刷新
考题
下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中，正确的是（ ）。A．静态RAM(SRAM)集成度低，但存取速度快且无须刷新B．DRAM的集成度高且成本高，常做Cache用C．DRAM的存取速度比SRAM快D．DRAM中存储的数据断电后不会丢失
考题
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新 其中正确的是A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
考题
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单Ⅱ．DRAM比SRAM成本高Ⅲ．DRAM比SRAM速度快Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新其中哪两个叙述是错误的?A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
考题
以下关于随机访问存储器（RAM）说法错误的是（）A、RAM分为静态RAM和动态RAM两类B、SRAM作为高速缓存存储器，既可以在CPU芯片上，也可以在片下C、DRAM将每个位存储在一个双稳态存储器单元里D、DRAM需要不断刷新
考题
单选题EDO RAM和FPM DRAM的最大区别是（）。A
没有区别B
EDO RAM比FPM DRAM的快C
FPM DRAM比EDO RAM的快D
EDO RAM比FPM DRAM小E
FPM DRAM比EDO RAM价格高
考题
单选题下面关于随机存储器（RAM）的叙述中，正确的是（ ）。A
RAM分静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两大类B
SRAM的集成度比DRAM高C
DRAM的存取速度比SRAM快D
DRAM中存储的数据无须“刷新”
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