考题
下列各项中不是电平控制型器件的是()。
A.GTOB.GTRC.IGBTD.MOSFET
考题
()是电压控制型电力电子器件。A.P-MOSFET、GTOB.TRIAC、GTRC.P-MOSFET、IGBTD.IGBT、SITH
考题
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。 ()
此题为判断题(对，错)。
考题
IGBT是一个复合型的器件,它是( )
A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO
考题
下列全控器件中,属于电流控制型的器件是( )。
A.SITB.GTRC.IGBTD.P-MOSFET
考题
SIT是一种______的器件,其工作频率与电力MOSFET______,而功率容量比电力MOSFET______,因而适用于______场合。
考题
IGBT是ー个复合型的器件,它是()。
A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0
考题
电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率
考题
下列元件中属于半控型器件的是（）。A、GTOB、GTRC、SCRD、MOSFET
考题
MOSFET晶体管属于（）器件。A、电流型控制B、电压型控制C、功率型控制D、P0004
考题
功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。
考题
功率MOSFET是一种（）器件，具有驱动功率小，工作速度快，无二次击穿和安全区宽等特点。
考题
功率MOSFET驱动功率小，驱动电路简单，功率增益高，是一种（）控制器件。A、电压B、电流C、功率
考题
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及两者混合管和（）等等。A、晶闸管B、可控硅C、功率集成器件D、晶体管
考题
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。
考题
功率MOSFET是（）型器件。A、全控B、半控
考题
下列属于半控型器件的是（）。A、IGBTB、SCRC、GTOD、MOSFET
考题
不属于全控型功率电子器件的是（）。A、GTOB、GTRC、FSTD、MOSFET
考题
IGBT是一个复合型的器件，它是（）。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO
考题
双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。
考题
电力电子器件P-MOSFET为（）器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型
考题
电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
考题
多选题电力电子器件P-MOSFET为（）器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型
考题
判断题MOSFET属于双极型器件。A
对B
错
考题
判断题双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTR。A
对B
错
考题
填空题功率MOSFET是一种（）器件，具有驱动功率小，工作速度快，无二次击穿和安全区宽等特点。