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多选题
T1的长短与下列哪些因素有关（）
A

组织成分

B

组织内磁场的均匀性

C

磁环境

D

外磁场场强

E

组织结构

参考答案

参考解析
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考题 磁屏蔽结构就是用铁磁材料制成的屏蔽将测量机构包围起来,外磁场被磁屏蔽所分路,使透过屏蔽进入测量机构的()。 A.磁场强度大为减弱B.影响降低C.磁场损耗加大D.磁场强度得到增强
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考题 下列叙述中正确的是()。A.相同的人体组织在不同的磁场强度下，其共振频率相同B.相同的人体组织在不同的磁场强度下，其共振频率不同C.不相同的人体组织在不同的磁场强度下，其共振频率相同D.不相同的人体组织在相同的磁场强度下，其共振频率相同E.相同的人体组织在相同的磁场强度下，其共振频率是随机的
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考题 于同种组织，其纵向弛豫时间应当是（）A、静磁场的场强越高，纵向弛豫时间越长B、静磁场的场强越低，纵向弛豫时间越长C、与静磁场的场强大小无关D、仅仅与组织分子大小有关E、始终是一常数
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考题 有关磁场强度对组织弛豫时间的影响中（）。A、T1值随场强的增加延长B、T2值随场强的增加延长C、T1值随场强的增加缩短D、T2值随场强的增加缩短E、以上均不是
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考题 剩磁的大小与铁磁材料的种类及外磁场强度有关。
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考题 下列说法正确的有（）A、磁场内某点的磁场强度H与电流大小有关B、磁场内某点的磁场强度H与线圈匝数有关C、磁场内某点的磁场强度H与该点的几何位置有关D、磁场内某点的磁场强度与磁场媒质的磁性无关E、磁感应强度B与磁场媒质的磁性有关。
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考题 漏磁场与下列哪些因素有关：（）A、磁化的磁场强度与材料的磁导率B、缺陷埋藏的深度、方向和形状尺寸C、缺陷内的介质D、以上都是
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考题 下列有关磁化曲线的正确叙述为（）。A、 磁化曲线表示磁场强度H与磁感应强度B的关系B、 经过一次磁化后，把磁场强度降为零时的磁通密度称为饱和磁通密度C、 在铁磁材料中，磁场强度通常与磁通密度成正比D、 经过一次磁化后，把磁场强度降为零时的磁通密度称为矫顽力
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考题 磁屏蔽结构就是用铁磁材料制成的屏蔽将测量机构包围起来，外磁场被磁屏蔽所分路，使透过屏蔽进入测量机构的（）。A、磁场强度大为减弱B、影响降低C、磁场损耗加大D、磁场强度得到增强
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考题 下列因素中与组织T1值有关的是（）A、组织分子的大小B、晶格的物理状态C、组织的温度D、组织纵向磁化的时间E、组织所处磁场的强度
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考题 T1的长短与下列哪些因素有关（）A、组织成分B、组织内磁场的均匀性C、磁环境D、外磁场场强E、组织结构
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考题 漏磁场与下列哪些因素有关（）A、磁化的磁场强度与材料的磁导率B、缺陷埋藏的深度、方向和形状尺寸C、缺陷内的介质D、以上都不是
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考题 工件磁化后的剩磁大小与下列哪些因素有关（）A、材料的磁特性B、外加的磁场强度C、工件的几何形状D、以上都不是
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考题 关于磁场强度和磁通密度的叙述，正确的是（）。A、磁场强度与磁导率有关，磁通密度与磁导率无关B、磁场强度与磁导率无关，磁通密度与磁导率有关C、磁场强度和磁通密度与磁导率都有关D、磁场强度和磁通密度与磁导率都无关
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考题 单选题T1的长短与下列哪种情况无关（　）A 组织成分B 组织形态C 磁环境D 外磁场场强E 组织结构
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考题 单选题漏磁场与下列哪些因素有关（）A 磁化的磁场强度与材料的磁导率B 缺陷埋藏的深度、方向和形状尺寸C 缺陷内的介质D 以上都是
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考题 多选题漏磁场与下列哪些因素有关（）A磁化的磁场强度与材料的磁导率B缺陷埋藏的深度、方向和形状尺寸C缺陷内的介质D以上都不是
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考题 单选题下列因素中与组织T1值有关的是（）A 组织分子的大小B 晶格的物理状态C 组织的温度D 组织纵向磁化的时间E 组织所处磁场的强度
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考题 多选题工件磁化后的剩磁大小与下列哪些因素有关（）A材料的磁特性B外加的磁场强度C工件的几何形状D以上都不是
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考题 多选题T1的长短与下列哪些因素有关（）A组织成分B组织内磁场的均匀性C磁环境D外磁场场强E组织结构
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考题 单选题对于同种组织，其纵向弛豫的时间应当是（　　）。A 始终是一常数B 仅仅与组织分子大小有关C 与静磁场的场强大小无关D 静磁场的场强越高，纵向弛豫时间越长E 静磁场的场强越低，纵向弛豫时间越长
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