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填空题
半导体光电子材料中发生的光电效应主要有()、()和()三种。前两种是内光电效应,第三种是外光电效应。

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考题 下列有关光电效应的叙述,错误的是( )。A.诊断用X线与铅的相互作用形式,主要是光电效应B.光电效应的结果是,入射光子能量的一部分以散射光子释放C.光电效应可产生特征放射、光电子和正离子D.光电效应中,X线光子能量全部给予了物质原子的壳层电子E.光电效应以光子击脱原子的内层轨道电子而发生

考题 下列关于光电效应的说法正确的是A、光电效应是光子把部分能量转移给某个束缚电子使之变为光电子的过程B、光电效应是光子把全部能量转移给原子核使电子变为光电子的过程C、光电效应是光子把全部能量转移给某个束缚电子使之变为光电子的过程D、靶物质原子序数低时发生光电效应的几率较高E、光电效应不需要原子核参与作用

考题 在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于( )。 A. 外光电效应B. 内光电效应C. 光电发射D. 光导效应

考题 下列有关光电效应的叙述,错误的是()A、诊断用X线与铅的相互作用形式,主要是光电效应B、光电效应的结果是,入射光子能量的一部分以散射光子释放C、光电效应可产生特征放射、光电子和正离子D、光电效应中,X线光子能量全部给予了物质原子的壳层电子E、光电效应以光子击脱原子的内层轨道电子而发生

考题 半导体材料发生光电效应,对入射光的频率有什么要求?

考题 外光电效应是指();内光电效应是指()。

考题 以下关于光电效应的叙述,哪一条是错误的()A、光电效应发生几率随光子能量的增大而减小B、光电效应发生几率随材料的原子序数增大而增大C、光电效应过程中除产生光电子外,有时还会产生反冲电子D、光电效应发射出的电子的能量肯定小于入射光子的能量

考题 在光线作用下,半导体电导率改变的现象属于().A、外光电效应B、内光电效应C、光电发射D、光生伏特效应

考题 发生外光电效应时,从物体表面逸出的电子称为光电子。

考题 光电效应分为外光电效应和内光电效应。

考题 什么叫光电效应?光电效应有哪几种?什么叫外光电效应、内光电效应、光电导效应、光生伏特效应?

考题 下列对光电效应的叙述中,哪些是正确的()A、光电效应发生的概率随光子的能量增大而减小B、光电效应发生的概率随材料的原子序数增大而增大C、光电效应过程除产生光电子外,有时还会产生反冲电子D、光电效应发射出的电子能量肯定小于入射光子的能量E、光电效应作用对象为轨道电子

考题 基于外光电效应的器件有()和();基于内光电效应的器件有()、()、()和()等。

考题 试解释外光电效应器件和内光电效应器件各自的工作基础并举例。

考题 光电效应包括()。A、外光电效应B、内光电效应C、光生伏特效应D、发光效应

考题 什么叫内光电效应、外光电效应、光生伏特效应? 

考题 种材料的红限频率为γ0,入射光的频率为γ。若γ0>γ,则下列说法正确的是()。A、一定能发生外光电效应B、一定不能发生外光电效应C、能否发生外光电效应还取决于光强D、无法判断

考题 在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于()。A、外光电效应B、内光电效应C、光电发射D、光导效应

考题 问答题说明内光电效应和外光电效应的差别。

考题 问答题什么叫光电效应?光电效应有哪几种?什么叫外光电效应、内光电效应、光电导效应、光生伏特效应?

考题 单选题以下关于光电效应的叙述,哪一条是错误的()A 光电效应发生几率随光子能量的增大而减小B 光电效应发生几率随材料的原子序数增大而增大C 光电效应过程中除产生光电子外,有时还会产生反冲电子D 光电效应发射出的电子的能量肯定小于入射光子的能量

考题 单选题()是半导体光电子材料中发生的一种外光电效应。A 光电导B 光生伏特效应C 光电子发射

考题 单选题下列关于光电效应的说法正确的是()A 光电效应是光子把部分能量转移给某个束缚电子使之变为光电子的过程B 光电效应是光子把全部能量转移给原子核使电子变为光电子的过程C 光电效应是光子把全部能量转移给某个束缚电子使之变为光电子的过程D 靶物质原子序数低时发生光电效应的几率较高E 光电效应不需要原子核参与作用

考题 单选题光电子发射探测器是基于()的光电探测器。A 内光电效应B 外光电效应C 光生伏特效应D 光热效应

考题 单选题光敏电阻是()器件,属于()A 光电导器件,外光电效应B 光电发射器件,外光电效应C 光生伏特器件,内光电效应D 光电导器件,内光电效应

考题 单选题在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于()。A 外光电效应B 内光电效应C 光电发射D 光导效应

考题 单选题在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于()A 外光电效应B 光电发射C 内光电效应D 光生伏特效应