网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)
单选题
半导体受光照、外电场作用,载流子浓度就要发生变化,这时半导体处于非平衡态。光照时()的浓度几乎不变,()的浓度却大大增加,因而可以说,一切半导体光电器件对光的响应都是()的行为。请选择正确的答案()
A

多子---少子---少子;

B

少子---多子---多子;

C

多子---多子---多子

D

少子---少子---少子。


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
更多 “单选题半导体受光照、外电场作用,载流子浓度就要发生变化,这时半导体处于非平衡态。光照时()的浓度几乎不变,()的浓度却大大增加,因而可以说,一切半导体光电器件对光的响应都是()的行为。请选择正确的答案()A 多子---少子---少子;B 少子---多子---多子;C 多子---多子---多子D 少子---少子---少子。” 相关考题
考题 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。 A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压

考题 杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。 A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压

考题 N型半导体多数载流子浓度取决于()。

考题 本征半导体温度升高后,两种载流子浓度不再相等。()

考题 在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。 A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度

考题 在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与()有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷

考题 在纯净半导体内掺入适量的硼元素后,整个半导体()。A、空穴的浓度大大高于自由电子的浓度B、自由电子的浓度大大高于空穴的浓度C、空穴和自由电子的浓度不变

考题 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与()有很大关系。

考题 半导体的界面或表面被()产生载流子后,生成的()和()由于载流子的作用向相反的方向漂移,引起载流子极化,从而产生了因光照射引起的电流。

考题 关于本征半导体载流子,下面描述错误的是:()A、自由电子和空穴总是成对出现B、电子可以自由移动,空穴不能自由移动C、在温度升高和受光照射时,载流子的数目将增加D、自由电子和空穴在外电场作用下,运动方向相反,形成的电流方向相同,总电流是两者之和

考题 半导体受光照,导电性能()。A、增强B、减弱C、不变D、不定

考题 半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率()A、越高B、不确定C、越低D、不变

考题 掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于(),它与()几乎没有关系;而少数载流子的浓度则主要与()有关,因而它的大小与()有关

考题 本征半导体载流子()A、自由电子和空穴的浓度无法确定B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度相等

考题 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(),而少数载流子的浓度则与()有很大关系

考题 杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷

考题 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(),而少数载流子的浓度则与()有很大关系。

考题 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的?杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比,哪个大?为什么?

考题 半导体中多数载流子的浓度是由掺杂浓度决定的

考题 温度升高,本征载流子浓度();杂质半导体中少子浓度(),多子浓度()

考题 杂质半导体中多数载流子的浓度取决于()A、温度B、杂质浓度C、电子空穴对数目D、都不是

考题 填空题半导体受光照后电流增加的现象,称为()

考题 填空题()和()是半导体的主要载流子,N型半导体中()浓度高于()浓度,而 P型半导体中()浓度高于 电子浓度,()半导体中的两种载流子浓度相等。

考题 单选题半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率()A 越高B 不确定C 越低D 不变

考题 填空题半导体受到光照时,由于吸收光子使其中的载流子浓度增大,因而导致材料的电导率增大,称为()效应。

考题 单选题当半导体材料受到光照时,由于对光子的吸收引起载流子浓度的变化,因而导致材料电导率的变化,这种现象称为()A 光伏效应;B 光电导效应;C 光电发射效应;D 光热效应。

考题 填空题()是半导体单晶重要电学参数之一,它反映了补偿后的杂质浓度,与半导体中的载流子浓度有直接关系。