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单选题
直拉单晶中氧含量头部和尾部相比（）。
A

较高

B

相同

C

较低

D

无法判断

参考答案

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解析： 暂无解析
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考题 硅提纯及制备工艺流程正确的是()。 A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅
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考题 空段清扫器一般安装在（）A、尾部滚筒与垂直拉紧装置的拉紧滚筒前方的中间架上B、机头部C、导料槽处D、犁煤器前方
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考题 列车被迫停车可能妨碍邻线时，应在列车的（）点燃火炬。A、头部和尾部附近邻线上B、头部和尾部附近C、头部附近邻线上D、尾部附近邻线上
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考题 成品检验应在（）部位进行。A、头部、尾部B、中部C、头部、尾部、中部D、中部、尾部
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考题 力学性能试样要在相当于钢锭（）的地方切取。A、头部B、尾部C、中部D、头部和尾部
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考题 直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）A、6B、2C、4D、5
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考题 人胰腺中胰岛较多的部位是（）。A、胰头部和胰尾部B、胰头部和胰体部C、胰头部D、胰尾部
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考题 （）是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触，边缓慢旋转提拉，使结晶生长，最后得到长棒形状的单晶硅。A、直拉法B、铸锭法C、西门子法D、三氯氢硅还原法
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考题 单晶硅锭的制备方法很多，目前国内外在生产中主要采用溶体直拉法和辉光放电法。
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考题 下面哪种不是单晶硅的制备方法（）。A、硅带法B、区熔法C、直拉单晶法D、磁拉法
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考题 电镜观察釉柱横断面，其头部和尾部的特点是（）A、头部指向咬合面方向，尾部向牙颈方向B、头部较小，而尾部相对较大C、头和尾部方向均向牙根面D、头尾部方向均与釉柱长轴平行E、头部近牙颈方向，尾部近咬合面方向
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考题 IEEE802.1Q数据帧的TAG是加在什么位置？（）A、头部B、中部C、尾部D、头部和尾部
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考题 人进行呼吸时，呼出的气体和呼入的气体相比，其变化时（）①温度升高②水分增加③氧含量略增加④氧含量大增⑤二氧化碳含量增加．A、①②④B、①③④C、②③⑤D、①②⑤
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考题 问答题简述熔体制备单晶的方法，坩埚法和直拉法的过程细节。
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考题 填空题目前测定硅单晶中的氧，碳含量最常用的方法（）收法。
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考题 填空题CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。
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考题 单选题IEEE802.1Q数据帧的TAG是加在什么位置？（）A 头部B 中部C 尾部D 头部和尾部
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考题 单选题那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）A 分凝B 蒸发C 坩埚污染D 损坏
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考题 单选题人胰腺中胰岛较多的部位是（）。A 胰头部和胰尾部B 胰头部和胰体部C 胰头部D 胰尾部
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考题 单选题电镜观察釉柱横断面，其头部和尾部的特点是（）A 头部指向咬合面方向，尾部向牙颈方向B 头部较小，而尾部相对较大C 头和尾部方向均向牙根面D 头尾部方向均与釉柱长轴平行E 头部近牙颈方向，尾部近咬合面方向
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考题 单选题列车被迫停车可能妨碍邻线时，应在列车的（）点燃火炬。A 头部和尾部附近邻线上B 头部和尾部附近C 头部附近邻线上D 尾部附近邻线上
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考题 单选题直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）A 6B 2C 4D 5
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考题 单选题施行下肢手术的患者，护士为其准备麻醉床时铺橡胶单和中单的步骤是（　）A 先铺床头部，再铺床尾部B 先铺床头部，再铺床中部C 先铺床尾部，再铺床头部D 先铺床中部，再铺床头部E 先铺床中部，再铺床尾部
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考题 填空题直拉法单晶生长过程包括（）、（）、（）、（）、（）等步骤。
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考题 判断题85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。A 对B 错
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考题 填空题直拉法生长单晶硅要经过（）六个阶段。
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考题 问答题简述直拉法生长单晶硅的工艺过程，并说明每个步骤各自有什么作用？
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