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单选题
下列关于Latch up效应说法不正确的是（）
A
衬底耦合噪声是造成Latch up问题的原因之一。
B
Latch up效应在电路上可以解释为CMOS集成电路中寄生三极管构成的正反馈电路。
C
Latch up效应与两个寄生三极管的放大系数有关。
D
Latch up效应与井和衬底的参杂浓度无关。
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单选题下列关于确定性效应的说法不正确的是（ ）。A
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对B
错
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