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填空题
一般轻离子的迁移率较()大二个数量级。
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考题
填空题CMOS工艺中,阱注入的计量为()量级;源、漏注入的剂量为()量级;开启调整的注入剂量为()量级 ;场注入的的剂量为()量级;离子束合成SOI材料SIMOX的O+注入计量为()量级。
考题
单选题()与大气电离率有关,并随纬度增加而增加,这种变化一般从7km以上高度开始。A
大气轻离子迁移率B
大气重离子迁移率C
大气电导率D
大气气溶胶浓度
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