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判断题
线圈/电缆缠绕法,在决定适当的安匝数时,L/D(长径比)的值是很重要的,要得到高强漏磁场,就要使用较大的线圈,才有助于将缺陷检测出来
A

B


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
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考题 不能影响通电线圈产生的磁场强度的是()A、线圈的匝数B、流过线圈的电流强度C、线圈的长宽比D、有无铁心

考题 已知开端线圈的内半径R=150mm、宽度为L=50mm。若要求在线圈轴线端部产生磁化磁场强度H端=60(Oe),试求磁化线圈的安匝数NI为多少?

考题 不计线圈电阻、漏磁通影响时,线圈电压与电源频率成()比,与线圈匝数成()比,与主磁通最大值成()比。

考题 在相同的磁场中,线圈匝数越多,线圈的电感()。A、越小B、不变C、越大

考题 在线圈中有关磁场强度的叙述()是正确的A、磁场强度与安匝数成正比B、在有限长线圈轴上,磁场强度端部比中间强C、在长度为直径3倍以上的有限长线圈中,端部与中间的磁场强度相等D、在无限长螺管线圈中磁场强度是均匀的E、a和d

考题 对同一工件进行纵向磁化时,使用高充填因数线圈法所需要的安匝数比低充填因数线圈偏心法放置时要大。

考题 按JB3965-85标准,采用纵向磁化线圈计算磁化规范时都需要考虑试件的长径比()的大小,对于长径比L/D小于()的,应使用加长块,对于L/D大于15时,应取长径比的极大值()

考题 线圈/电缆缠绕法,在决定适当的安匝数时,L/D(长径比)的值是很重要的,要得到高强漏磁场,就要使用较大的线圈,才有助于将缺陷检测出来

考题 使用线圈磁化时,要考虑的影响因素是()。A、工件长径比的影响B、工件对线圈填充系数的影响C、线圈磁化安匝数的影响D、以上都是

考题 两管状试件的外径和长度相等,但其厚度不同,如果用直流线圈磁化,且安匝数不变,则厚壁管的退磁场比薄壁管的退磁场要大。

考题 在作归一化阻抗图时,将线圈阻抗值除以ωL0,这样处理后,使归一化阻抗图可适应于各种不同的()的线圈阻抗()。A、匝数B、激励频率C、线圈电感D、以上三项全是

考题 在线圈中有关磁场强度的叙述,正确的是()A、磁场强度与安匝数成正比B、在有限长线圈轴上,磁场强度在端部比在中部强C、在长度为直径3倍以上的有限长线圈中,端部与中部的磁场强度相等D、在无限长螺线管线圈中磁场强度是均匀的E、A和D都对

考题 当使用磁化线圈或电缆缠绕法时,磁场强度与电流成正比,与被检截面厚度无关。()

考题 用线圈法磁化时,线圈的匝数与磁化磁场强度有关

考题 CZ5系列接触器的磁系统选择了较小的气隙和较大的杠杆比是为了()。A、减少吸引线圈的安匝数B、减少电磁机构的尺寸C、增大吸引线圈的安匝数D、节省电能

考题 安匝是磁动势的单位,等于线圈匝数与线圈通过的电流的乘积,安匝数越大,产生的磁场越强。

考题 将导线绕成螺线管,通以电流,如何增大磁场()A、增大线圈的直径B、减小线圈的直径C、增加线圈的匝数D、减小线圈的匝数

考题 单选题使用线圈磁化时,要考虑的影响因素是()。A 工件长径比的影响B 工件对线圈填充系数的影响C 线圈磁化安匝数的影响D 以上都是

考题 问答题已知开端线圈的内半径R=150mm、宽度为L=50mm。若要求在线圈轴线端部产生磁化磁场强度H端=60(Oe),试求磁化线圈的安匝数NI为多少?

考题 单选题在线圈中有关磁场强度的叙述()是正确的A 磁场强度与安匝数成正比B 在有限长线圈轴上,磁场强度端部比中间强C 在长度为直径3倍以上的有限长线圈中,端部与中间的磁场强度相等D 在无限长螺管线圈中磁场强度是均匀的E a和d

考题 填空题按JB3965-85标准,采用纵向磁化线圈计算磁化规范时都需要考虑试件的长径比()的大小,对于长径比L/D小于()的,应使用加长块,对于L/D大于15时,应取长径比的极大值()

考题 判断题安匝是磁动势的单位,等于线圈匝数与线圈通过的电流的乘积,安匝数越大,产生的磁场越强。A 对B 错

考题 单选题在线圈中有关磁场强度的叙述,正确的是()A 磁场强度与安匝数成正比B 在有限长线圈轴上,磁场强度在端部比在中部强C 在长度为直径3倍以上的有限长线圈中,端部与中部的磁场强度相等D 在无限长螺线管线圈中磁场强度是均匀的E A和D都对

考题 判断题当使用磁化线圈或电缆缠绕法时,磁场强度与电流成正比,与被检截面厚度无关。A 对B 错

考题 判断题对同一工件进行纵向磁化时,使用高充填因数线圈法所需要的安匝数比低充填因数线圈偏心法放置时要大。A 对B 错

考题 单选题CZ5系列接触器的磁系统选择了较小的气隙和较大的杠杆比是为了()。A 减少吸引线圈的安匝数B 减少电磁机构的尺寸C 增大吸引线圈的安匝数D 节省电能

考题 判断题两管状试件的外径和长度相等,但其厚度不同,如果用直流线圈磁化,且安匝数不变,则厚壁管的退磁场比薄壁管的退磁场要大。A 对B 错