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问答题
双极型晶体管的GP模型是由谁于哪一年提出的？

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考题 双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 绝缘栅双极型晶体管的简称是()。A、PowerMOSFETB、GTRC、GTOD、IGBT
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考题 对于双极型晶体三极管(简称晶体管)，如下不正确的描述是( )。A.晶体管的工作状态可分为截止状态、放大状态和饱和状态 B.晶体管的工作区域可分为线性区和非线性区 C.晶体管工作状态可由开关接通与断开的电路模型表示 D.晶体管存在开关状态和放大状态两种工作状态
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考题 绝缘栅双极型晶体管内部为（）层结构。
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考题 绝缘栅双极型晶体管简称（）。A、MOSFETB、IGBTC、GTRD、GTO
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考题 双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制
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考题 双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为（）。A、电压B、电流C、双极型为电压、场效应为电流D、双极型为电流、场效应为电压
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考题 绝缘栅双极型晶体管是用什么与集电极复合而成？
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考题 双极型晶体管是（）控制器件，单极型晶体管是（）控制器件。
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考题 常用的电子开关有（）。A、继电器B、双极型晶体管C、MOS场效应晶体管D、二极管
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考题 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结（）、集电结（）。
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考题 对于双极型晶体三极管（简称晶体管），如下不正确的描述是（）。A、晶体管的工作状态可分为截止状态、放大状态和饱和状态B、晶体管的工作区域可分为线性区和非线性区C、晶体管工作状态可由开关接通与断开的电路模型表示D、晶体管存在开关状态和放大状态两种工作状态
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考题 绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
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考题 双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。
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考题 GTR是一种（）晶体管．A、双极型B、单极型C、混合型D、三极型
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考题 绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
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考题 具有锁定效应的电力电子器件是（）。A、电力晶体管B、晶闸管C、可关断晶闸管D、绝缘栅双极型晶体管
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考题 双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制
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考题 单选题GTR是一种（）晶体管．A 双极型B 单极型C 混合型D 三极型
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考题 问答题双极型晶体管的最高速度取决于哪些因素？
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考题 问答题双极型晶体管的EM模型是由谁于哪一年提出的？
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考题 问答题1）试比较射频场效应管与射频双极型晶体管结构和特性上的差异。 2）试讨论晶体管小信号模型和大信号模型的主要区别。请问能否使用晶体管大信号模型分析射频小信号。
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考题 多选题常用的电子开关有（）。A继电器B双极型晶体管CMOS场效应晶体管D二极管
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考题 多选题绝缘栅双极型晶体管IGBT属于（）器件。A相控型B全控型C电压控制型D复合型E双极型
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考题 判断题双极型晶体管和单极型晶体管中都有两种载流子参与导电。A 对B 错
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考题 判断题双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。A 对B 错
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考题 单选题双极型半导体器件是（）。A 二极管B 晶体管C 场效应晶体管D 稳压管
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