考题
二极管的击穿分两种,分别是()。
A、正向击穿B、反向击穿C、雪崩击穿D、齐纳击穿
考题
光敏二极管在电路中正常工作状态为()。
A.正向偏置B.反向击穿C.反向偏置
考题
二极管因所加过高反向电压而击穿、烧毁的现象称为()。
A、齐纳击穿B、雪崩击穿C、热击穿
考题
当半导体二极管的反向击穿电压大于6V,主要发生何种击穿现象?()
A.雪崩击穿B.齐纳击穿C.热击穿D.碰撞击穿
考题
反向击穿是稳压二极管的正常工作状态，稳压管就是工作在反向击穿区。
考题
雪崩击穿二极管（ABD管）反向偏置时，有哪几种工作模式？（）A、待机B、钳制C、击穿D、短路
考题
最高反向工作电压指二极管长期工作时，允许加到二极管两端的最高反向电压，一般就取反向击穿电压。（）
考题
在伏安特性曲线上，在规定的脉冲直流电流IT（或IBR）或接近发生雪崩的电流条件下，雪崩击穿二极管（ABD管）两端测得的电压称之为（）。A、限制电压B、最大工作电压C、击穿电压D、残压
考题
使二极管击穿的临界电压称为二极管的（）A、反向工作电压B、最高反向工作电压C、反向击穿电压
考题
稳压二极管稳压时，其工作在（），发光二极管发光时，其工作在（）。A、正向导通区B、反向截止区C、反向击穿区
考题
半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）A、反向偏置击穿状态B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态D、正向偏置未导通状态
考题
增加二极管两端的反向偏置电压，在未达到（）电压前，二极管通过的电流很小。A、击穿B、最大C、短路D、最小
考题
稳压二极管是工作在它的（）。A、反向击穿区B、正向偏置C、饱和区D、放大区
考题
当半导体二极管的反向击穿电压小于6V时，主要发生何种击穿（）A、雪崩击穿B、齐纳击穿C、热击穿D、碰撞击穿
考题
稳压二极管与普通二极管的区别包括（）、反向击穿电压较低、允许通过的电流较大、工作正常时处于反向击穿状态。
考题
稳压二极管正常工作在（）A、正向导通区B、反向截止区C、反向击穿区D、正向偏置
考题
使二极管产生击穿的临界电质称为二极管的（）A、额定电压B、反向工作电压C、最高反向工作电压D、反向击穿电压
考题
当稳压管在正常稳压工作时，其两端施加的外部电压的特点为（）A、反向偏置但不击穿B、正向偏置但不击穿C、反向偏置且被击穿D、正向偏置且被击穿
考题
光电二极管加（）电压能产生电流，发光二极管（）电压下工作。A、反向偏置，正向偏置B、正向偏置，反向偏置C、正向偏置，正向偏置D、反向偏置，反向偏置
考题
稳压二极管是工作在（）区A、反向截止B、反向击穿C、介于反向截止和反向击穿D、放大
考题
使二极管产生击穿的临界电压称为二极管的（）。 A、额定电压；B、反向工作电压；C、最高反向工作电压；D、反向击穿电压。
考题
二极管的最高反向工作电压（峰值）就是二极管反向击穿电压值。
考题
单选题硅稳压管稳压电路工作时，稳压管工作状态应为（）。A
正向导电B
反向偏置C
反向电击穿D
反向热击穿
考题
单选题使二极管产生击穿的临界电质称为二极管的（）A
额定电压B
反向工作电压C
最高反向工作电压D
反向击穿电压
考题
单选题使二极管击穿的临界电压称为二极管的（）A
反向工作电压B
最高反向工作电压C
反向击穿电压
考题
判断题雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。A
对B
错
考题
填空题稳压二极管与普通二极管的区别包括（）、反向击穿电压较低、允许通过的电流较大、工作正常时处于反向击穿状态。