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名词解释题
恒定表面源扩散

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考题 生球干燥是由( )两个过程组成的。A.表面扩散和内部汽化B.表面汽化和内部扩散C.表面汽化和内部汽化D.表面扩散和内部扩散
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考题 根据《环境影响评价技术导則地面水环境》，在地面水环境影响预測中’ 污染源无组织排放可简化成面源，其排放规律可简化为（ ）。 A.非连续恒定排放 B.连续恒定排放C.非连续非恒定排放 D.连续非恒定排放
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考题 根据《环境影响评价技木导则地面水环境》，下述情况水质预測适用二维 解析模式的是（ ）。 A.水深变化不大的水库中连续恒定排放点源 B.水深变化较大的水库中连续恒定排放点源 C.水深变化不大的水库中连续恒定排放面源 D.水深变化较大的水库中连续恒定排放面源
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考题 根据《环境影响评价技术导则—地面水环境》，在地面水环境影响预测中，污染源无组织排放可简化成面源，其排放规律可简化为()。A:非连续恒定排放B:连续恒定排放C:非连续非恒定排放D:连续非恒定排放
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考题 恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）A、高斯函数B、余误差函数C、指数函数D、线性函数
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考题 理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压（）。A、恒定不变B、等于零C、由外电阻决定
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考题 恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。A、高斯B、余误差C、指数
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考题 在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
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考题 片状源扩散具有设备简单，操作方便，晶片缺陷少，均匀性、重复性和表面质量都较好，适于批量生产，应用越来越普遍。（）
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考题 晶片表面上的粒子是通过（）到达晶片的表面。A、粒子扩散B、从气体源通过强迫性的对流传送C、化学反应D、被表面吸附E、静电吸引
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考题 一般分析扩散系数，考虑两种条件，即恒定表面浓度条件和（）。A、恒定总掺杂剂量B、不恒定总掺杂剂量C、恒定杂志浓度D、不恒定杂志浓度
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考题 生球干燥是由（）两个过程组成的。A、表面扩散和内部气化B、表面气化和内部扩散C、表面气和内部气化D、表面扩散和内部扩散
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考题 吸附过程的内扩散分为（）。A、深层扩散；B、表面扩散；C、渗透扩散；D、孔扩散。
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考题 合成反应是一多项催化过程，这个过程按下列（）过程进行。A、扩散—吸附—表面反应—解吸—扩散B、扩散—表面反应—吸附—解吸——散C、扩散—吸附—反应—扩散
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考题 恒定表面浓度的条件下，在整个扩散期间，（）保持恒定表面浓度。A、源蒸气B、杂质和惰性气体混合物C、水蒸气和杂志混合物D、杂质、惰性气体、水蒸气混合物
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考题 根据《环境影响评价技术导则-地面水环境》，下述情况水质预测适用二维解析模式的是（）。A、水深变化不大的水库中连续恒定排放点源B、水深变化较大的水库中连续恒定排放点源C、水深变化不大的水库中连续恒定排放面源D、水深变化较大的水库中连续恒定排放面源
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考题 扩散管道中的水流一定是非恒定流。
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考题 填空题常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。
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考题 填空题恒定温度、恒定总浓度下，均相混合物中分子扩散通量JA与（）成正比，其比例系数称为（）。
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考题 判断题基区主扩散属于有限表面源扩散。A 对B 错
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考题 名词解释题恒定源扩散
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考题 问答题简述源材料扩散穿过边界表面时的两种表面吸附
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考题 多选题常用的扩散模式是（）。A有风、小风、静风扩散模式B气态污染物和颗粒污染物扩散模式C短期浓度和长期浓度扩散模式D点源、面源、线源和体源等扩散模式
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考题 单选题根据《环境影响评价技术导则-地面水环境》，下述情况水质预测适用二维解析模式的是（）。A 水深变化不大的水库中连续恒定排放点源B 水深变化较大的水库中连续恒定排放点源C 水深变化不大的水库中连续恒定排放面源D 水深变化较大的水库中连续恒定排放面源
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考题 判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。A 对B 错
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考题 名词解释题有限表面源扩散
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考题 填空题有限表面源扩散的杂质分布服从（）分布。
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