网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）
问答题
在中性水溶液中，Cu-Al和不锈钢-Al两对电偶的电位差相近，但前者会造成Al的严重腐蚀，而后者对Al的腐蚀轻微，试分析其原因。

参考答案

参考解析
解析： 暂无解析
更多 “问答题在中性水溶液中，Cu-Al和不锈钢-Al两对电偶的电位差相近，但前者会造成Al的严重腐蚀，而后者对Al的腐蚀轻微，试分析其原因。” 相关考题
考题 实现AL寄存器中D7和D0都取反的指令是() A.AND AL,7EHB.OR AL,81HC.TEST AL ,81HD.XOR AL,81H
查看答案
考题 在含氧的水溶液中，当金属的电位比该水溶液中氧电极电位更负时，金属发生腐蚀，阴极反应为溶解氧得电子生成OH-反应A、吸氧腐蚀B、析氢腐蚀C、电偶腐蚀D、极化
查看答案
考题 两种金属在电偶序中的起始电位差越大，电偶腐蚀倾向就越大。()
查看答案
考题 由于相互接触的不同金属材料在水溶液中形成电池,因而受到阴极与阳极流动电子的作用而产生的金属腐蚀为()。 A、电偶腐蚀B、氧浓差电池腐蚀C、晶间腐蚀D、穿晶腐蚀
查看答案
考题 执行( )指令后，就能用条件转移指令判断AL和BL寄存器中的最高位是否相同。A．TEST AL，BLB．CMP AL，BLC．AND AL，BLD．XOR AL，BL
查看答案
考题 下列四条指令都可用来使累加器清“0”，但其中不能清“进位”位的是( )。A．XOR AL，ALB．AND AL，0C．MOV AL，0D．SUB AL，AL
查看答案
考题 下列四条指令都可以用来使累加器AL清“0”，但其中不能清CF的是( )。A．XOR AL，ALB．AND AL，0C．MOV AL，0D．SUB AL，AL
查看答案
考题 巴黎剂量学系统中源活性长度AL与靶区长度L的关系描述正确的是A、AL=LB、ALLD、AL≥LE、AL≤L 巴黎剂量学系统中源活性长度AL与靶区长度L的关系描述正确的是A、AL＝LB、AL＜LC、AL＞LD、AL≥LE、AL≤L
查看答案
考题 在Excel中,下列区域表示中错误的是()。 A、al#d4B、al.d5C、al>d4D、al：d4
查看答案
考题 铝在空气中燃烧时生成（）A、单一的Al2O3B、Al2O3和Al2N3C、单一的AlND、Al2O3和AlN
查看答案
考题 钢中（）提高耐腐蚀性。A、PB、SC、MnD、Al
查看答案
考题 铜合金中能淬火得到马氏体组织的是（）。A、Cu-Sn合金B、Cu-Be合金C、Cu-Al合金D、Cu-Zn合金
查看答案
考题 H.248协议中的消息（），代表模拟线包中的挂机事件。A、al/onB、al/ofC、al/riD、al/fl
查看答案
考题 执行下列（）指令后，就能用条件转移指令判断AL和BL寄存器中的最高位是否相同A、TEST  AL，BLB、CMP  AL，BLC、AND  AL，BLD、XOR  AL，BL
查看答案
考题 巴黎剂量学系统中源活性长度AL与靶区长度L的关系描述正确的是（）A、AL＝LB、AL＜LC、AL＞LD、AL≥LE、AL≤L
查看答案
考题 试分析下面的程序段完成什么功能。 MOV CL, 4 SHL AX, CL SHL BL, CL MOV AL, BL SHR DH, CL OR AL, DH
查看答案
考题 要检查寄存器AL中的内容是否与AH相同，应使用的指令为（）。A、AND AL，AHB、OR AL，AHC、XOR AL，AHD、SBB AL，AH
查看答案
考题 金属沿着晶界或晶界的邻近区域发生严重腐蚀，而晶粒本身腐蚀轻微时，这种腐蚀称为（）。A、电偶腐蚀B、缝隙腐蚀C、小孔腐蚀D、晶间腐蚀
查看答案
考题 分析下面程序段， MOV AL，200 SAR AL，1 MOV BL，AL MOV CL，2 SAR AL，CL ADD AL，BL 试问程序段执行后 （BL）＝？ （AL）＝？
查看答案
考题 在金属活动顺序表中Al在Fe之前，更在Cu之前，但Al比Fe抗腐蚀性强，这是为什么？Cu可以和冷的浓硝酸反应，而Al却不能，这是为什么？
查看答案
考题 在H.248协议，表示摘机的是（）.A、al/ofB、al/onC、al/flD、al/ri
查看答案
考题 下列说法中，正确的是（）。（1）Al-Cu系列铝合金在时效硬化处理时，晶间会沉淀出CuAl2，产生晶间腐蚀。（2）Al-Zn-Mg-Cu系列铝合金在人工时效处理后，晶界会析出MgZn2，产生晶界腐蚀。（3）Al-Cu-Mg系列合金发生剥层腐蚀的情况最多。A、0项B、1项C、2项D、3项
查看答案
考题 下列说法中（）。（1）Al-Cu系列铝合金在时效硬化处理时，晶间会沉淀出CuAl2，产生晶间腐蚀。（2）Al-Zn-Mg-Cu系列铝合金在人工时效处理后，晶界会析出MgZn2，产生晶界腐蚀。A、（1）对（2）错B、（1）错（2）对C、全对D、全错
查看答案
考题 关于电偶腐蚀的形成原因？（）A、只要两种不同的金属相互接触就会发生电偶腐蚀。（两种金属在电解质溶液中接触，金属间存在电位差）B、在电偶腐蚀过程中，形成的腐蚀电池是微观腐蚀电池。C、在电偶腐蚀过程中，形成的腐蚀电池是宏观腐蚀电池。D、在两种不同的金属之间形成足够小的缝隙，就会发生电偶腐蚀。
查看答案
考题 填空题电偶腐蚀中，两种金属电位差值越（），电偶腐蚀倾向越大。
查看答案
考题 问答题试解释为什么绿宝石（Be3Al2[Si6O18]）和透辉石（CaMg[Si2O6]）中的nSi：nO都为1：3，而前者为环状结构，后者为链状结构。
查看答案
考题 单选题执行下列（）指令后，就能用条件转移指令判断AL和BL寄存器中的最高位是否相同A TEST  AL，BLB CMP  AL，BLC AND  AL，BLD XOR  AL，BL
查看答案
热门标签
最新试卷