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单选题
()可降低开关损耗。
A

提高直流电压利用率

B

降低直流电压利用率

C

减少器件的开关次数

D

增加器件的开关次数


参考答案

参考解析
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考题 有关电力晶体管的说法错误的是()。 A.驱动电流较小B.开关时间短C.开关损耗小D.易受二次击穿而损坏

考题 全控器件在开关频率较高时,使器件损耗增加的主要因素是()。 A.通态损耗B.断态损耗C.开关损耗

考题 软开关技术的主要作用是() A.加快开关速度B.减少开关损耗C.减少模块体积D.提高模块容量

考题 采用性能良好的驱动电路,可使电力电子器件工作在较理想的开关状态,会带来下列哪些优点?( ) A、缩短开关时间B、拉长开关时间C、减小开关损耗D、增大开关损耗

考题 电力电子电路的哪项导致电力电子器件的开关损耗增大为了减少开关损耗,提出了软开关技术()? A.模块化、小型化和轻量化B.多重化和多电平化C.绿色化D.高频化

考题 PWM控制开关电源在()情况下,开关损耗增大。 A、较高频率B、较低频率C、较大负载D、较小负载

考题 属于H型双极式PWM变换器缺点( )。 A.电流不连续B.单象限运行C.开关损耗大D.低速不平稳

考题 肖特基二极管天关时间(),开关损耗远小于普通二极管。

考题 圆形磁链轨迹控制相比六边形磁链轨迹控制,开关次数多,开关损耗大。

考题 脑部温度每降低1℃,脑代谢可降低10%,颅内压可降低5%。

考题 脉宽调速系统中,开关频率越高,电流脉动越(),转速波动越(),动态开关损耗越()。

考题 MOS控制晶闸管(MCT)是新型电力电子器件,它具有()特点。A、高电压B、大电流C、低通态压降D、开关速度快E、开关损耗小

考题 肖特基二极管的开关时间短,故开关损耗远()普通二极管。

考题 IGBT与场管的区别,正确的有()A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路,场管适合200KHZ以下的逆变电路

考题 谐振型功率转换电路是利用()现象,通过适当的改变开关管的()波形关系来达到减小开关损耗的目的。

考题 在谐振型开关电源中,由于功率开关管实现了()或()切换,因此基本上消除了开关损耗。

考题 软开关技术的主要作用是()A、加快开关速度B、减少开关损耗C、减少模块体积D、提高模块容量

考题 肖特基二极管的开关损耗()快恢复二极管的开关损耗

考题 软开关技术的作用有()。A、降低开关损耗B、提高开关损耗C、降低效率D、提高效率

考题 在全控型器件中,IGBT的开关速度低,开关损耗大。

考题 单选题SPWM逆变器每秒最多脉冲个数本质上受开关元件自身的()A 载波频率限制B 开关损耗限制C 调制度限制D 参数波频率限制

考题 单选题在SVPWM控制系统中,应该尽量减少开关状态变化时引起的开关损耗,因此不同开关状态的顺序。必须遵守下述原则:每次切换开关状态时,只切换()个功率开关器件,以满足最小开关损耗。A 一              B 二                C 三               D 四

考题 多选题软开关技术的作用有()。A降低开关损耗B提高开关损耗C降低效率D提高效率

考题 多选题开关电源的内部损耗大致可包括();A开关损耗B热损耗C附加损耗D电阻损耗E导通损耗

考题 多选题采用性能良好的驱动电路,可使电力电子器件工作在较理想的开关状态,会带来下列哪些优点?()A缩短开关时间B拉长开关时间C减小开关损耗D增大开关损耗

考题 判断题圆形磁链轨迹控制相比六边形磁链轨迹控制,开关次数多,开关损耗大。A 对B 错

考题 填空题肖特基二极管的开关损耗()快恢复二极管的开关损耗