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单选题
()可降低开关损耗。
A
提高直流电压利用率
B
降低直流电压利用率
C
减少器件的开关次数
D
增加器件的开关次数
参考答案
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解析:
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考题
IGBT与场管的区别,正确的有()A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路,场管适合200KHZ以下的逆变电路
考题
单选题在SVPWM控制系统中,应该尽量减少开关状态变化时引起的开关损耗,因此不同开关状态的顺序。必须遵守下述原则:每次切换开关状态时,只切换()个功率开关器件,以满足最小开关损耗。A
一 B
二 C
三 D
四
考题
填空题肖特基二极管的开关损耗()快恢复二极管的开关损耗
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