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单选题
高剂量TD-Ag(  )。
A

B

C

D

E


参考答案

参考解析
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考题 诱导T细胞产生免疫耐受的抗原是A.低剂量的TI抗原B.高剂量和低剂量的TD抗原C.高剂量的TI抗原D.低剂量的TI抗原和高剂量的TD抗原E.高剂量的TI抗原和低剂量的TD抗原

考题 题共用备选答案A.引起T细胞免疫耐受B.引起B细胞免疫耐受C.引起T、B细胞免疫耐受D.不引起免疫耐受E.引起免疫抑制高剂量TD-Ag查看材料

考题 低剂量TD-Ag查看材料

考题 根据以下答案,回答题A.引起T细胞免疫耐受B.引起B细胞免疫耐受C.引起T、B细胞免疫耐受D.不引起免疫耐受E.引起免疫抑制高剂量TD-Ag( )。查看材料

考题 厚朴对胃肠运动的影响与剂量有关,表现在( )。A.低剂量、高剂量均兴奋B.低剂量兴奋,高剂量抑制C.低剂量、高剂量均抑制D.高剂量兴奋,低剂量抑制E.以上均非

考题 A.引起T细胞免疫耐受 B.引起B细胞免疫耐受 C.引起T、B细胞免疫耐受 D.不引起免疫耐受 E.引起免疫抑制高剂量TD-Ag

考题 A.引起T细胞免疫耐受 B.引起B细胞免疫耐受 C.引起T、B细胞免疫耐受 D.不引起免疫耐受 E.引起免疫抑制低剂量TD-Ag

考题 关于T、B细胞免疫耐受的特点正确的叙述是A.低剂量的TI-Ag能使T、B细胞均产生耐受 B.低剂量TD-Ag仅能使T细胞产生耐受,不能使B细胞产生耐受 C.诱导T细胞耐受维持时间短,B细胞长 D.诱导T细胞耐受所需时间长,B细胞短 E.高剂量TD.Ag不能使T、B细胞产生耐受

考题 负π介子治疗的突出优点是()A、局部剂量高且LET高B、局部剂量低且LET低C、局部剂量高但LET低D、局部剂量低但LET高E、以上均错误

考题 高能电子束的深度剂量曲线分为剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区和X射线污染区,治疗肿瘤时应使靶区位于()A、剂量建成区B、高剂量坪区C、剂量建成区和高剂量坪区D、高剂量坪区和剂量跌落区E、剂量跌落区和X射线污染区

考题 TD-Ag引起的免疫应答特点

考题 关于T、B细胞免疫耐受的特点正确的叙述是()A、诱导T细胞耐受所需时间长,B细胞短B、诱导T细胞耐受维持时间短,B细胞长C、高剂量TD-Ag不能使T、B细胞产生耐受D、低剂量TD-Ag仅能使T细胞产生耐受,不能使B细胞产生耐受E、低剂量的TI-Ag能使T、B细胞均产生耐受

考题 低剂量TD-Ag()A、引起T细胞免疫耐受B、引起B细胞免疫耐受C、引起T、B细胞免疫耐受D、不引起免疫耐受E、引起免疫抑制

考题 胸腺依赖抗原(td-ag)

考题 胸腺依赖性抗原(thymus dependent antigen,TD-Ag)

考题 高量TD-Ag()A、仅T细胞耐受B、仅B细胞耐受C、T、B细胞耐受D、T、B细胞不耐受

考题 TD-Ag

考题 高剂量TD-Ag()A、引起T细胞免疫耐受B、引起B细胞免疫耐受C、引起T、B细胞免疫耐受D、不引起免疫耐受E、引起免疫抑制

考题 名词解释题胸腺依赖抗原(td-ag)

考题 单选题电子束百分深度剂量分布随能量变化十分明显。随着电子束能量的增加()。A 表面剂量不变,高剂量坪区不变B 表面剂量不变,高剂量坪区变宽C 表面剂量增加,高剂量坪区变窄D 表面剂量增加,高剂量坪区变宽E 表面剂量减小,高剂量坪区变窄

考题 单选题高剂量TD-Ag()A 引起T细胞免疫耐受B 引起B细胞免疫耐受C 引起T、B细胞免疫耐受D 不引起免疫耐受E 引起免疫抑制

考题 单选题负π介子治疗的突出优点是()A 局部剂量高且LET高B 局部剂量低且LET低C 局部剂量高但LET低D 局部剂量低但LET高E 以上均错误

考题 单选题低剂量TD-Ag(  )。A B C D E

考题 单选题低剂量TD-Ag()A 引起T细胞免疫耐受B 引起B细胞免疫耐受C 引起T、B细胞免疫耐受D 不引起免疫耐受E 引起免疫抑制

考题 名词解释题TD-Ag

考题 单选题下列哪项抗原能诱导B淋巴细胞产生免疫耐受()A 高剂量TI抗原或低剂量TD抗原B 高剂量TD抗原或低剂量TI抗原C 低剂量TI抗原或低剂量TD抗原D 高剂量TI抗原或高剂量TD抗原E 以上都不是

考题 单选题对于T、B细胞免疫耐受的特点正确的叙述是(  )。A 诱导T细胞耐受维持时间短,B细胞长B 诱导T细胞耐受所需时间长,B细胞短C 高剂量TD-Ag不能使T、B细胞产生耐受D 低剂量TD-Ag仅能使T细胞产生耐受,不能使B细胞产生耐受E 低剂量的TI-Ag均能使T、B细胞产生耐受