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单选题
空位在扩散传质中不可以在以下哪个部位()
A

自由表面

B

外界面

C

内界面

D

位错


参考答案

参考解析
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考题 在传质过程中,通过湍流流体的扩散称为( )扩散。A.自由B.分子C.离子D.对流

考题 在高效液相色谱法中,流动相线速较大时,范第姆特方程中哪项对色谱峰的影响可以忽略()。A、涡流扩散项B、涡流扩散项和纵向扩散C、纵向扩散项D、纵向扩散项和传质阻力项E、传质阻力项

考题 在高效液相色谱中,范氏方程中的哪一项对柱效的影响可以忽略不计?()A、涡流扩散B、流动相传质阻力C、固定相传质阻力D、分子纵向扩散

考题 HPLC中,对柱效影响可以忽略不计的因素是()A、固定相传质阻力B、纵向扩散C、涡流扩散D、流动相传质阻力

考题 吸收过程中传质的基本方式中()是湍流流体的主体与相界面之间的涡流扩散与分子扩散这两种传质作用的总称。A、传导B、混合C、扩散D、对流扩散

考题 气相色谱中范弟姆特方程中H=(),其中()叫传质阻力项,()叫涡流扩散项,C叫分子传质系数。

考题 在气相色谱填充柱中,固定液用量相对较高且载气流速也不是很快,此时影响色谱柱效能的各因素中可以忽略的是()。A、涡流扩散B、分子扩散C、气相传质阻力D、液相传质阻力

考题 由于分子的无规则热运动而形成的物质传递现象为()。A、热传质B、涡流扩散C、对流传质D、扩散传质

考题 传质的基本方式是()。A、热传质B、涡流扩散C、对流传质D、扩散传质

考题 吸附过程通常可以分为以下几步()。A、外扩散B、传质C、内扩散D、吸附质在吸附剂内表面被吸附

考题 化工传质单元操作的对流传质就是涡流扩散。

考题 在传质过程中,通过湍流流体的扩散称为()扩散。A、自由B、分子C、离子D、对流

考题 传质的方式主要有()。A、分子扩散传质B、对流传质C、加热D、冷却

考题 烧结的主要传质方式有蒸发-凝聚传质、扩散传质、流动传质和溶解-沉淀传质四种,产生这四种传质的原因依次为()、()、()和()。

考题 在液相色谱中,影响色谱峰展宽的主要因素是()A、纵向扩散;B、涡流扩散;C、传质阻力;D、柱前展宽。

考题 在液相色谱中,范氏方程中的哪一项对柱效能的影响可以忽略不计?()A、涡流扩散项B、分子扩散项C、固定相传质阻力项D、流动相中的传质阻力

考题 在HPLC中,范氏方程中对柱效影响可以忽略不计的因素是()A、涡流扩散B、纵向扩散C、固定相传质阻力D、流动相传质阻力

考题 在液相色谱中,范第姆特方程式中的哪一项对柱效能的影响可以忽略不计()A、涡流扩散项B、分子扩散项C、流动区域的流动相传质阻力D、停滞区域的流动相传质阻力

考题 根据范第姆特方程,在填充柱色谱法中,固定相的填充均匀程度主要影响()A、气相传质阻力B、液相传质阻力C、涡流扩散D、分子扩散

考题 在液相色谱法中引起色谱峰扩张的主要因素是()A、涡流扩散B、纵向扩散C、传质阻力D、多路径

考题 单选题在扩散传质中,不包括哪个阶段()A 初期B 中期C 晚期D 后期

考题 单选题在HPLC中,范氏方程中对柱效影响可以忽略不计的因素是()A 涡流扩散B 纵向扩散C 固定相传质阻力D 流动相传质阻力

考题 单选题HPLC中,对柱效影响可以忽略不计的因素是()A 固定相传质阻力B 纵向扩散C 涡流扩散D 流动相传质阻力

考题 单选题在烧结过程中,只改变气孔形状而不引起坯体收缩的传质方式是()。A 扩散传质B 蒸发-凝聚传质C 流动传质D 溶解-沉淀传质

考题 单选题在烧结过程中只改变坯体中气孔的形状而不引起坯体致密化的传质方式是()。A 流动传质B 蒸发—凝聚传质C 溶解—沉淀D 扩散传质

考题 单选题在扩散传质中,颗粒不同部位空位浓度不同,下列哪个部位最低?()A 颈表面张力区B 晶粒内部C 受压应力的颗粒接触中心D 晶粒表部

考题 单选题根据范第姆特方程,在填充柱色谱法中,固定相的填充均匀程度主要影响()A 气相传质阻力B 液相传质阻力C 涡流扩散D 分子扩散