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单选题
直接盖髓术正确的操作步骤是()。
A

制备洞形→放置盖髓剂→去除龋坏→充填

B

去除龋坏→制备洞形→放置盖髓剂→疗效观察

C

去除龋坏→放置盖髓剂→充填

D

去除龋坏→切除冠髓→放置盖髓剂→永久充填

E

制备洞形→去除龋坏→放置盖髓剂→疗效观察


参考答案

参考解析
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更多 “单选题直接盖髓术正确的操作步骤是()。A 制备洞形→放置盖髓剂→去除龋坏→充填B 去除龋坏→制备洞形→放置盖髓剂→疗效观察C 去除龋坏→放置盖髓剂→充填D 去除龋坏→切除冠髓→放置盖髓剂→永久充填E 制备洞形→去除龋坏→放置盖髓剂→疗效观察” 相关考题
考题 以下属于窝洞制备的步骤的是A、扩大开口进入龋洞B、设计并制备洞形C、检查、修整、清洁窝洞D、去除龋坏牙本质E、以上均包括

考题 若患者在窝洞制备过程中疼痛明显,无法完全去除龋坏组织。该患者患牙的最佳处理措施是A.再矿化疗法B.窝沟封闭疗法C.间接盖髓术D.直接垫底永久充填E.直接盖髓术

考题 去除龋坏组织制备洞形后,窝洞消毒应使用A.樟脑酚 B.甲醛甲酚 C.95%酒精 SX 去除龋坏组织制备洞形后,窝洞消毒应使用A.樟脑酚B.甲醛甲酚C.95%酒精D.木馏油E.复方碘剂

考题 患儿8岁,右下第一恒磨牙深龋洞,去除大部分腐质,近髓,仍有部分龋坏牙本质。进一步治疗应选择A.继续去腐,若露髓直接盖髓B.继续去腐,若露髓冠髓切断C.继续去腐,若露髓根尖诱导成形术D.保留龋坏牙本质,水门汀垫底充填E.保留龋坏牙本质,氢氧化钙盖髓后充填

考题 共用题干 患儿男,8岁。右下后牙冷热刺激痛1周,近2日,吃米饭时疼痛。检查:咬合面深龋洞,腐质黄软,探诊敏感。冰棒置于颊侧测试无疼痛。去除大部分腐质,极近髓。探洞底敏感,仍有部分龋坏牙本质。进一步治疗应选择A、去净腐质,若露髓直接盖髓术B、局部麻醉下去净腐质,若露髓冠髓切断术C、继续去腐,若露髓根尖诱导成形术D、保留龋坏牙本质,氧化锌丁香油糊剂安抚E、保留龋坏牙本质,Ca(OH)2盖髓垫底充填

考题 玻璃离子粘固剂修复术与银汞合金修复术相比在窝洞制备上的特点为A:洞缘釉质不做斜面 B:不必去净龋坏组织 C:需作预防性扩展 D:必须作倒凹固位形 E:只需去除龋坏牙本质,不做扩展

考题 患者女,进食酸甜食物时左下后牙疼痛不适。诊断为深龋。备洞敏感,龋坏可去尽,未穿髓,处理时应选择()A、间接盖髓术B、直接盖髓术C、安抚治疗D、垫底充填E、牙髓治疗

考题 直接盖髓术正确的操作步骤是()。A、制备洞形→放置盖髓剂→去除龋坏→充填B、去除龋坏→制备洞形→放置盖髓剂→疗效观察C、去除龋坏→放置盖髓剂→充填D、去除龋坏→切除冠髓→放置盖髓剂→永久充填E、制备洞形→去除龋坏→放置盖髓剂→疗效观察

考题 牙髓切断术正确的操作步骤是()。A、隔湿患牙,去除龋坏组织→揭髓室顶→确定髓腔入口→切除冠髓→放置盖髓剂→永久充填B、隔湿患牙,去除龋坏组织→揭髓室顶→确定髓腔入口→放置盖髓剂→永久充填C、去除龋坏组织→揭髓室顶→确定髓腔入口→切除冠髓→放置盖髓剂→永久充填D、去除龋坏组织→确定髓腔入口→揭髓室顶→切除冠髓→放置盖髓剂→永久充填E、隔湿患牙,去除龋坏组织→确定髓腔入口→切除冠髓→放置盖髓剂→永久充填

考题 单选题患儿8岁,右下第一恒磨牙深龋洞,去除大部分腐质,近髓,仍有部分龋,坏牙本质。进一步治疗应选择的是(  )。A 继续去腐,若露髓冠髓切断B 继续去腐,若露髓直接盖髓C 继续去腐,若露髓根尖诱导成形术D 保留龋坏牙本质,水门汀垫底充填E 保留龋坏牙本质,氢氧化钙盖髓后充填

考题 单选题牙髓切断术正确的操作步骤是()。A 隔湿患牙,去除龋坏组织→揭髓室顶→确定髓腔入口→切除冠髓→放置盖髓剂→永久充填B 隔湿患牙,去除龋坏组织→揭髓室顶→确定髓腔入口→放置盖髓剂→永久充填C 去除龋坏组织→揭髓室顶→确定髓腔入口→切除冠髓→放置盖髓剂→永久充填D 去除龋坏组织→确定髓腔入口→揭髓室顶→切除冠髓→放置盖髓剂→永久充填E 隔湿患牙,去除龋坏组织→确定髓腔入口→切除冠髓→放置盖髓剂→永久充填

考题 单选题直接盖髓术正确的操作步骤是()。A 制备洞形→放置盖髓剂→去除龋坏→充填B 去除龋坏→制备洞形→放置盖髓剂→疗效观察C 去除龋坏→放置盖髓剂→充填D 去除龋坏→切除冠髓→放置盖髓剂→永久充填E 制备洞形→去除龋坏→放置盖髓剂→疗效观察