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填空题
晶体三极管甲的=200,ICBO=10A,晶体三极管乙的=80,ICBO=0.2A,两管比较,可判定是晶体三级管()的性能好。

参考答案

参考解析
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考题 温度升高导致三极管参数发生()变化。 A、ICBO,β,UBE都增大B、ICBO,β,UBE都减小C、ICBO,β增大,UBE减小D、β,UBE增大,ICBO减小

考题 温度上升时,半导体三极管的() A、ICBO增大,UBE下降B、UBE增大,ICBO减小C、ICBO和UBE增大D、ICBO和UBE减少

考题 当温度T升高时,晶体三极管的参数有如下变化规律()。 A、b增大,UBE增大,ICBO增大B、b减小,UBE减小,ICBO减小C、b增大,UBE减小,ICBO增大D、b减小,UBE增大,ICBO减小

考题 硅管和锗管是两种不同材料的晶体三极管。晶体三极管的排列方式分为()和()。

考题 晶体管的参数受温度的影响较大,当温度升高时,晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为()。 A.β和ICBO增加,UBE减小 B.β和UBE减小,ICBO增加 C.β增加,ICBO和UBE减小 D.β、UBE和ICBO都增加

考题 晶体管的参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β、ICBO和UBE的变化情况分别为(  )。 A.β增加,ICBO和UBE减小 B.β和ICBO增加,UBE减小 C.β和UBE减小,ICBO增加 D.β、ICBO和UBE都增加

考题 温度减小时,使晶体三极管参数发生如下变化()。A、VBE减小,β增加,ICBO增加B、VBE减小,β减小,ICBO减小C、VBE增加,β增加,ICBO增加D、VBE增加,β减小,ICBO减小

考题 硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。

考题 温度升高时,三极管参数正确变化的是()。A、Icbo,Ube,β均增大B、Icbo,Ube,β均减小C、Icbo及β增大,Ube下降D、Icbo及β下降,Ube增大

考题 晶体三极管甲的=200,ICBO=10A,晶体三极管乙的=80,ICBO=0.2A,两管比较,可判定是晶体三级管()的性能好。

考题 三极管反向饱和电流Icbo与发射极穿透电流Iceo之间的关系为(),β为电流放大倍数。 A、Iceo=Icbo;B、Iceo=(β+1)Icbo;C、Iceo=βIcbo;D、Iceo=(β-1)Icbo。

考题 晶体三极管的两个PN结都反偏时,则晶体三极管所处的状态是饱和状态

考题 温度升高导致三极管参数发生()变化。A、Icbo、β、Ube都增大B、Icbo、β、Ube都减小C、Icbo和β增大、Ube减小D、Icbo减小、β和Ube增大

考题 因为晶体三极管由两个PN结组成,所以晶体三极管可以当同材料的晶体二极管使用。

考题 当晶体三极管的两个PN结都正偏时,晶体三极管处于什么状态?

考题 表明晶体管质量优劣的主要参数是()。A、β、ICBO(ICEO)B、ICM、PCMC、,ICMD、,PCM

考题 晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为()A、β增加,ICBO,和 uBE减小B、β和ICBO增加,uBE减小C、β和uBE减小,ICBO增增加D、β、ICBO和uBE都增加

考题 晶体管是温度的敏感元件,当温度升高时其参数ICBO(),VBE(),β()。

考题 晶体三极管的参数受温度影响,当温度升高时,晶体管的ICBO将(),β将(),|UBE|将()。

考题 晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为()。A、β增加,ICBO和 uBE减小B、β和ICBO增加,uBE减小C、β和uBE减小,ICBO增加D、β、ICBO和uBE都增加

考题 晶体管穿透电流ICEO是反向饱和电流ICBO的()倍,在选用晶体管的时候,一般希望ICBO尽量()。

考题 晶体三极管的β、ICBO、UBE都是温度的函数,当温度升高时,β和ICBO(),而UBE()

考题 差动式直流放大器抑制零点漂移的效果取决于()。A、两个晶体三极管的放大倍数B、两个晶体三极管的对称程度C、各个晶体三极管的零点漂移

考题 当温度升高时,晶体管的参数碑拓β(),ICBO(),导通电压()。

考题 当晶体三极管的两个PN结都反偏时,晶体三极管处于()状态。A、饱和;B、放大;C、截止。

考题 单选题差动式直流放大器抑制零点漂移的效果取决于()。A 两个晶体三极管的放大倍数B 两个晶体三极管的对称程度C 各个晶体三极管的零点漂移

考题 问答题当晶体三极管的两个PN结都正偏时,晶体三极管处于什么状态?