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基因突变的频率与辐射强度成正比，但突变率不受辐射剂量的影响。

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考题 表面的定向辐射强度与方向无关，或物体发射的辐射强度与方向无关的性质叫漫辐射。()
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考题 电磁辐射可对人体产生不良影响,其影响程度与电磁辐射强度、辐射接触时间等有直接关系。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 辐射温度计是根据全辐射强度定理即物体的总辐射强度与物体温度的()成正比的关系来进行测量的。 A、一次方B、平方C、三次方D、四次方
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考题 采用燃气红外线辐射作为建筑全面供暖，下列概念正确的是( )。A.建筑物的供暖负荷只计算围护结构耗热量 B.燃气红外线辐射器的输出功率应不小于建筑物的供暖负荷 C.人体所需要的辐射强度与室外温度成反比、与舒适温度成正比 D.人体实际接受到的辐射强度与辐射器的安装高度成反比
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考题 黑体辐射的定向辐射强度与方向无关
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考题 文氏定律表明对应于最大辐射强度的波长与绝对温度成正比
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考题 黑体的辐射强度的最大值与绝对温度的（）成正比。A、四次方B、五次方C、八次方D、平方
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考题 由于放射源的辐射强度不受（）、（）的影响，并且它的测量元件与被测介质（），因此可用于高温、低温、高压容器的高粘度、剧毒、强腐蚀或易燃易爆介质的物位测量。
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考题 电离辐射的重要表现是（）。A、引起分子内电子的激发，而成为激发分子B、损伤小，诱变频率较低C、诱发的基因突变和染色体的断裂与剂量成正比D、突变谱不广而可育的有利突变较多
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考题 简述太阳高度角如何影响到达地面的太阳辐射强度？高海拔地区太阳辐射强度大的原因。
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考题 关于电离室自动曝光控时的叙述，哪组是错误的（）A、X线辐射强度大，电离电流大B、电容器的放电速率与电离电流成反比C、V管导通的时间短，曝光时间则短D、电容器放电电流正比于X线辐射强度E、电容器放电与X线辐射强度成正比
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考题 总辐射表的温差电动势与太阳辐射强度成正比。
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考题 底片黑度取决于辐射强度和曝光时间的乘积，若曝光量一定时，辐射强度与曝光时间成反比，但采用（）方法时，则该反比定律失效。
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考题 距离防护是指增大人体与放射源的距离，放射源所产生的辐射强度与离开源的距离（）关系。A、成正比B、的平方成正比C、成反比D、的平方成反比
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考题 电磁辐射对人体产生不良影响，其影响程度与下列哪项因素无关（）？A、电磁辐射强度B、接触时间C、设备防护措施D、辐射源的形状
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考题 影响太阳辐射强度的因素有哪些？
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考题 用管电流的毫安数表示X射线的辐射强度是因为：（）A、管电流毫安数就是打在靶上的高速电子数B、管电流毫安数就是X射线的总光子数C、管电流毫安数就是X射线的实际辐射强度D、X射线的辐射强度与管电流成正比E、以上说法均不对
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考题 X射线机辐射强度近似地与管电流成正比，影响比例的主要因素是（）。
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考题 简述基因突变频率与辐射强度和辐射剂量的关系。
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考题 基因突变的频率与（）成正比，但突变率不受（）的影响。
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考题 下列哪项不是皮肤日晒黑化的影响：（）A、紫外线波长B、辐射强度和照射试剂量C、皮肤的光生物类型D、神经因素
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考题 交流电场的辐射强度与距离成正比。
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考题 单选题电离辐射的重要表现是（）。A 引起分子内电子的激发，而成为激发分子B 损伤小，诱变频率较低C 诱发的基因突变和染色体的断裂与剂量成正比D 突变谱不广而可育的有利突变较多
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考题 填空题由于放射源的辐射强度不受（）、（）的影响，并且它的测量元件与被测介质（），因此可用于高温、低温、高压容器的高粘度、剧毒、强腐蚀或易燃易爆介质的物位测量。
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考题 填空题X射线机辐射强度近似地与管电流成正比，影响比例的主要因素是（）。
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考题 单选题关于电离室自动曝光控时的叙述，哪组是错误的（）A X线辐射强度大，电离电流大B 电容器的放电速率与电离电流成反比C V管导通的时间短，曝光时间则短D 电容器放电电流正比于X线辐射强度E 电容器放电与X线辐射强度成正比
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考题 判断题文氏定律表明对应于最大辐射强度的波长与绝对温度成正比A 对B 错
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