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存储器F310S读写速度可达到多少（）
- A、100MB/s
- B、80MB/s
- C、400MB/s
- D、200MB/s
参考答案
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考题
【问题1】（3分）不同类型的存储器，其特性也不同，请完成表1-1中的空白处内容，在“易失性”栏中填写“是”或“否”，在“相对读写速度”栏中填写“快”、“中”或“慢”。表 1-1 存储器的设备特征存储器种类易失性相对读写速度SRAMDRAMNAND Flash
考题
下面是关于Pentium微处理器的存储器读写机器周期的叙述，其中错误的是A．非流水线式存储器读写机器周期至少需要包含2个时钟周期B．每一个读写机器周期在第一个时钟周期将存储器地址发送到地址总线上C．突发式存储器读写机器周期需要5个时钟周期D．若存储器读写速度较慢，突发式存储器读写机器周期可以在第一个时钟周期之后插入若干等待周期
考题
通常，用于大量数据处理为主的计算机对（ ）要求较高。A.主机的运算速度、显示器的分辨率和I/O设备的速度 B.显示器的分辨率、外存储器的读写速度和I/O设备的速度 C.显示器的分辨率、内存的存取速度和外存储器的读写速度 D.主机的内存容量、内存的存取速度和外存储器的读写速度
考题
典型的嵌入式系统存储器层次结构示意图如下所示，存储层次由低到高依次是辅助存储器、主存储器、高速缓存Cache、寄存器，以下叙述中错误的是（ ）。
A.层次越高读写速度越快
B.层次越高存储容量越大
C.高层存储器可以被看作低层存储器的缓存
D.各级存储层次之间存储容量和读写速度呈反比
考题
SRAM和DRAM均为RAM存储器，二者的容量与读写速度为（）A、SRAM有极高的读写速度及大容量B、DRAM有极高的读写速度及大容量C、SRAM有极高的读写速度，DRAM有更大的容量D、DRAM有极高的读写速度，SRAM有更大的容量
考题
按存取方式分类，存储器可以分为（）。A、随机存取存储器、只读存储器、电可擦除存储器、直接存取存储器B、随机存取存储器、只读存储器、顺序存取存储器、直接存取存储器C、随机存取存储器、读写存储器、电可擦除存储器、顺序存取存储器D、随机存取存储器、读写存储器、光可擦除存储器、直接存取存储器
考题
判断题高速缓冲存储器主要是为了解决CPU运算速度与内存读写速度不匹配的矛盾。A
对B
错
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