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去大脑强直发作是由于（）

  • A、脑皮质广泛损害
  • B、间脑损害
  • C、小脑损害
  • D、中脑损害
  • E、延髓损害

参考答案

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考题 昏迷时长吸式呼吸见于（）。A、双侧半球或间脑损害B、中脑或脑桥上段旁中央网状结构的损害C、脑桥下段或延髓被盖部损害D、延髓下部E、延髓上部
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考题 昏迷时陈--施呼吸的损害部位见于（）。A、双侧半球或间脑损害B、中脑或脑桥上段旁中央网状结构的损害C、脑桥下段或延髓被盖部损害D、延髓下部E、延髓上部
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考题 节律深呼吸的损害水平（）.A、间脑B、中脑C、桥脑D、延髓E、脊髓
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考题 潮式呼吸的损害部位是（）A、间脑B、中脑C、桥脑D、延髓E、脊髓
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考题 小脑幕裂孔疝时，出现意识障碍的损害部位是（）A、大脑皮质B、丘脑C、中脑D、桥脑E、延髓
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考题 共济失调呼吸的损害水平（）。A、脑桥B、中脑C、间脑D、延髓E、脊髓
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考题 单选题共济失调呼吸的损害部位是（）。A 间脑B 中脑C 桥脑D 延髓E 脊髓
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考题 单选题共济失调呼吸的损害水平（）。A 脑桥B 中脑C 间脑D 延髓E 脊髓
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考题 单选题小脑幕切迹疝时，出现意识障碍的损害部位是（）A 大脑皮质B 丘脑C 脑桥D 中脑E 延髓
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考题 单选题去大脑强直的损害部位是（）A 大脑B 小脑C 基底节D 中脑E 延髓
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考题 单选题昏迷时中枢性神经源性过度通气见于（）。A 双侧半球或间脑损害B 中脑或脑桥上段旁中央网状结构的损害C 脑桥下段或延髓被盖部损害D 延髓下部E 延髓上部
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考题 单选题去大脑强直发作是由于（）A 脑皮质广泛损害B 间脑损害C 小脑损害D 中脑损害E 延髓损害
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考题 单选题节律深呼吸的损害水平（）.A 间脑B 中脑C 桥脑D 延髓E 脊髓
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考题 单选题昏迷时陈--施呼吸的损害部位见于（）。A 双侧半球或间脑损害B 中脑或脑桥上段旁中央网状结构的损害C 脑桥下段或延髓被盖部损害D 延髓下部E 延髓上部
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考题 填空题间脑损害的呼吸特点为________，中脑损害的呼吸特点为_____________，中脑下部和桥脑上部损害表现为________，桥脑下部和延髓上部损害时表现为__________。
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考题 配伍题昏迷时中枢性神经源性过度通气见于（　）|昏迷时陈—施呼吸的损害部位见于（　）|昏迷时长吸式呼吸见于（　）A双侧半球或间脑损害B中脑或脑桥上段旁中央网状结构的损害C脑桥下段或延髓被盖部损害D延髓下部E延髓上部
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