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晶体核中度混浊,皮质辐轮状混浊,瞳孔区皮质混浊约占50%,后囊下混浊约占50%,以下记录正确的是()

  • A、N2C4P3
  • B、N2C3P3
  • C、N3C3P4
  • D、N3C3P3
  • E、N2C4P4

参考答案

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考题 后发性白内障是指()A、外伤引起晶体混浊B、由眼底退行性病变引起晶状体混浊C、由药物引起的晶体混浊D、由代谢障碍引起晶体混浊E、白内障囊外摘除术后残留的皮质及囊膜混浊

考题 关于LOCSⅡ系统分类法错误的是()A、N表示晶状体核早期混浊B、C表示晶状体皮质透明C、P表示晶状体后囊膜下50%混浊D、C表示晶状体皮质混浊占瞳孔区50%E、P表示晶状体后囊膜下3%混浊

考题 不能发生混浊的晶状体的部位是()。A、前皮质B、后皮质C、核D、前后囊膜

考题 青光眼斑是指位于()A、晶状体前囊下的片状白色混浊B、晶状体后囊下的片状白色混浊C、晶状体皮质的白色混浊D、晶状体核的白色混浊E、晶状体前极的白色混浊

考题 高度近视引起的并发性白内障混浊部位多为()。A、前囊B、前囊下皮质C、核D、后囊E、后囊下皮质

考题 关于LOCSⅡ系统分类法错误的是()A、N1表示晶状体核早期混浊B、C0表示晶状体皮质透明C、P1表示晶状体后囊膜下50%混浊D、C4表示晶状体皮质混浊占瞳孔区50%E、P1表示晶状体后囊膜下3%混浊

考题 触电引起晶状体哪些部位的混浊()A、核B、前囊下皮质C、后囊D、后囊下皮质E、前囊

考题 单选题高度近视引起的并发性白内障混浊部位多为()A 前囊B 前囊下皮质C 核D 后囊E 后囊下皮质

考题 单选题晶体核中度混浊,皮质辐轮状混浊,瞳孔区皮质混浊约占50%,后囊下混浊约占50%,以下记录正确的是()A N2C4P3B N2C3P3C N3C3P4D N3C3P3E N2C4P4

考题 单选题后发性白内障是指()A 外伤引起晶体混浊B 由眼底退行性病变引起晶状体混浊C 由药物引起的晶体混浊D 由代谢障碍引起晶体混浊E 白内障囊外摘除术后残留的皮质及囊膜混浊

考题 单选题关于LOCSⅡ系统分类法错误的是()A N1表示晶状体核早期混浊B C0表示晶状体皮质透明C P1表示晶状体后囊膜下50%混浊D C4表示晶状体皮质混浊占瞳孔区50%E P1表示晶状体后囊膜下3%混浊

考题 多选题触电引起晶状体哪些部位的混浊()A核B前囊下皮质C后囊D后囊下皮质E前囊

考题 单选题青光眼斑是指位于()A 晶状体前囊下的片状白色混浊B 晶状体后囊下的片状白色混浊C 晶状体皮质的白色混浊D 晶状体核的白色混浊E 晶状体前极的白色混浊