晶体核中度混浊，皮质辐轮状混浊，瞳孔区皮质混浊约占50％，后囊下混浊约占50％，以下记录正确的是（）A、N2C4P3B、N2C3P3C、N3C3P4D、N3C3P3E、N2C4P4

题目内容（请给出正确答案）

晶体核中度混浊，皮质辐轮状混浊，瞳孔区皮质混浊约占50％，后囊下混浊约占50％，以下记录正确的是（）

参考答案

考题后发性白内障是指（）A、外伤引起晶体混浊B、由眼底退行性病变引起晶状体混浊C、由药物引起的晶体混浊D、由代谢障碍引起晶体混浊E、白内障囊外摘除术后残留的皮质及囊膜混浊

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考题关于LOCSⅡ系统分类法错误的是（）A、N表示晶状体核早期混浊B、C表示晶状体皮质透明C、P表示晶状体后囊膜下50％混浊D、C表示晶状体皮质混浊占瞳孔区50％E、P表示晶状体后囊膜下3％混浊

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考题不能发生混浊的晶状体的部位是（）。A、前皮质B、后皮质C、核D、前后囊膜

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考题青光眼斑是指位于（）A、晶状体前囊下的片状白色混浊B、晶状体后囊下的片状白色混浊C、晶状体皮质的白色混浊D、晶状体核的白色混浊E、晶状体前极的白色混浊

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考题高度近视引起的并发性白内障混浊部位多为（）。A、前囊B、前囊下皮质C、核D、后囊E、后囊下皮质

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考题关于LOCSⅡ系统分类法错误的是（）A、N1表示晶状体核早期混浊B、C0表示晶状体皮质透明C、P1表示晶状体后囊膜下50％混浊D、C4表示晶状体皮质混浊占瞳孔区50％E、P1表示晶状体后囊膜下3％混浊

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考题触电引起晶状体哪些部位的混浊（）A、核B、前囊下皮质C、后囊D、后囊下皮质E、前囊

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考题单选题高度近视引起的并发性白内障混浊部位多为（）A 前囊B 前囊下皮质C 核D 后囊E 后囊下皮质

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考题单选题晶体核中度混浊，皮质辐轮状混浊，瞳孔区皮质混浊约占50％，后囊下混浊约占50％，以下记录正确的是（）A N2C4P3B N2C3P3C N3C3P4D N3C3P3E N2C4P4

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考题单选题后发性白内障是指（）A 外伤引起晶体混浊B 由眼底退行性病变引起晶状体混浊C 由药物引起的晶体混浊D 由代谢障碍引起晶体混浊E 白内障囊外摘除术后残留的皮质及囊膜混浊

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考题单选题关于LOCSⅡ系统分类法错误的是（）A N1表示晶状体核早期混浊B C0表示晶状体皮质透明C P1表示晶状体后囊膜下50％混浊D C4表示晶状体皮质混浊占瞳孔区50％E P1表示晶状体后囊膜下3％混浊

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考题多选题触电引起晶状体哪些部位的混浊（）A核B前囊下皮质C后囊D后囊下皮质E前囊

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考题单选题青光眼斑是指位于（）A 晶状体前囊下的片状白色混浊B 晶状体后囊下的片状白色混浊C 晶状体皮质的白色混浊D 晶状体核的白色混浊E 晶状体前极的白色混浊

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