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用作存储器的芯片有不同的类型。可随机读写,且只要不断电则其中存储的信息就可一直保存的,称为(1);可随机读写,但即使在不断电的情况下其存储信息也要定时刷新才不致丢失的是(2):所存信息由生产厂家用掩膜技术写好后就无法再改变的称为(3);通过紫外线照射后可擦除所有信息,然后重新写入新的信息并可多次进行的是(4);通过电信号可在数秒内快速删除全部信息,但不能进行字节级别删除操作的是(5)。 空白(1)处应选择()

  • A、RAM
  • B、VRAM
  • C、DRAM
  • D、SRAM

参考答案

更多 “ 用作存储器的芯片有不同的类型。可随机读写,且只要不断电则其中存储的信息就可一直保存的,称为(1);可随机读写,但即使在不断电的情况下其存储信息也要定时刷新才不致丢失的是(2):所存信息由生产厂家用掩膜技术写好后就无法再改变的称为(3);通过紫外线照射后可擦除所有信息,然后重新写入新的信息并可多次进行的是(4);通过电信号可在数秒内快速删除全部信息,但不能进行字节级别删除操作的是(5)。 空白(1)处应选择()A、RAMB、VRAMC、DRAMD、SRAM” 相关考题
考题 下列关于RAM特点的描述中,错误的是()。A.读写时间与存储单元的物理地址无关 B.断电后其所保存的信息不会丢失 C.存储器的内容可随机读写 D.属于内存储器

考题 可进行读、写操作,但断电以后所存储的信息将全部丢失的主存储器称为。() A、只读存储器B、RAMC、随机访问存储器D、ROM

考题 广泛使用的SRAM和DRAM都是半导体随机读写存储器,二者的优点为体积小,价格低廉,断电后信息不丢失。()

考题 只读存储器ROM的功能是____________。 A.只能读出存储器的内容且断电后仍保持;B.只能将信息写入存储器;C.可以随机读出或写入信息;D.只能读出存储器的内容且断电后信息全丢失

考题 用于存储器的芯片有不同的类型。可随机读写,且只要不断电,则其中存储的信息就可一直保存,称为(32)。可随机读写,但即使在不断电的情况下其存储的信息也要定时刷新才不致丢失的,称为(33)。所存信息由生产厂家用掩膜技术写好后就无法再改变的称为(34)。通过紫外线照射后可擦除所有信息,然后重新写入新的信息并可多次进行的,称为(35)。通过电信号可在数秒钟内快速删除全部信息,但不能进行字节级别删除操作的,称为(36)。A.RAMB.VRAMC.DRAMD.SRAM

考题 用作存储器的芯片有不同的类型。可随机读/写,且只要不断电,其中存储的信息就可一直保存的存储器,称为(38)。可随机读/写,但即使在不断电的情况下其存储的信息要定时刷新才不致丢失的存储器,称为(39)。所存信息由生产厂家用掩膜技术写好后就无法再改变的存储器称为(40)。通过紫外线照射后可擦除所有信息,然后重新写入新的信息并可多次进行的存储器,称为(41)。通过电信号可在数秒钟内快速删除全部信息,但不能进行字节级别删除操作的存储器,称为(42)。A.RAMB.VRAMC.DRAMD.SRAM

考题 用作存储器的芯片有不同的类型。可随机读写,且只要不断电则其中存储的信息就可一直保存的,称为(91)。可随机读写,但即使在不断电的情况下其存储的信息也要定时刷新才不致丢失的,称为(92)。所存信息由生产厂家用掩膜技术写好后就无法再改变的,称为(93)。通过紫外线照射后可擦除所有信息,然后重新写入新的信息并可多次进行的,称为(94)。通过电信号可在数秒钟内快速删除全部信息,但不能进行字节级别删除操作的,称为(95)。A.RAMB.VRAMC.DRAMD.SRAM

考题 下列关于SRAM的叙述,正确的是A.SRAM是一种随机存储器B.SRAM是一种易失性存储器,断电则丢失存储信息C.SRAM需要刷新操作,不定时刷新,数据会丢失D.SRAM速度快,通常用来制作高速缓存E.SRAM芯片与CPU连接时要注意时序匹配

考题 存储器可随机读写,只要不断电,其中保存的数据不会丢失的是().A、RAMB、VRAMC、DRAMD、SRAM

考题 用作存储器的芯片有不同的类型。可随机读写,且只要不断电则其中存储的信息就可一直保存的,称为(1);可随机读写,但即使在不断电的情况下其存储信息也要定时刷新才不致丢失的是(2):所存信息由生产厂家用掩膜技术写好后就无法再改变的称为(3);通过紫外线照射后可擦除所有信息,然后重新写入新的信息并可多次进行的是(4);通过电信号可在数秒内快速删除全部信息,但不能进行字节级别删除操作的是(5)。 空白(2)处应选择()A、RAMB、VRAMC、DRAMD、SRAM

考题 用作存储器的芯片有不同的类型。可随机读写,且只要不断电则其中存储的信息就可一直保存的,称为(1);可随机读写,但即使在不断电的情况下其存储信息也要定时刷新才不致丢失的是(2):所存信息由生产厂家用掩膜技术写好后就无法再改变的称为(3);通过紫外线照射后可擦除所有信息,然后重新写入新的信息并可多次进行的是(4);通过电信号可在数秒内快速删除全部信息,但不能进行字节级别删除操作的是(5)。 空白(5)处应选择()A、EEPROMB、FlashMemoryC、EPROMD、VirtualMemory

考题 用作存储器的芯片有不同的类型。可随机读写,且只要不断电则其中存储的信息就可一直保存的,称为(1);可随机读写,但即使在不断电的情况下其存储信息也要定时刷新才不致丢失的是(2):所存信息由生产厂家用掩膜技术写好后就无法再改变的称为(3);通过紫外线照射后可擦除所有信息,然后重新写入新的信息并可多次进行的是(4);通过电信号可在数秒内快速删除全部信息,但不能进行字节级别删除操作的是(5)。 空白(4)处应选择()A、EPROMB、PROMC、ROMD、CDROM

考题 用作存储器的芯片有不同的类型。可随机读写,且只要不断电则其中存储的信息就可一直保存的,称为(1);可随机读写,但即使在不断电的情况下其存储信息也要定时刷新才不致丢失的是(2):所存信息由生产厂家用掩膜技术写好后就无法再改变的称为(3);通过紫外线照射后可擦除所有信息,然后重新写入新的信息并可多次进行的是(4);通过电信号可在数秒内快速删除全部信息,但不能进行字节级别删除操作的是(5)。 空白(3)处应选择()A、EPROMB、PROMC、ROMD、CDROM

考题 可进行读、写操作,但断电以后所存储的信息将全部丢失的主存储器称为()。A、随机访问存储器B、ROMC、RAMD、只读存储器

考题 下列说法描述错误的是()A、随机存储可随时存取信息,断电后信息丢失B、主存储器的信息是不可改变的C、E2PROM是可电改写的只读存储器D、PROM制成后只可写入一次

考题 EPROM存储器对信息保存能力下列说法正确的是()A、只要存储器不受损坏,可永远保存信息B、只要电源不掉电,可永远保存信息C、配有刷新电路,可维持运行中的信息D、不要受到紫外线的照射,可长期保存信息

考题 断电后,所存放的信息全部丢失的存储器是()。A、外存储器B、随机存取存储器C、电可擦除存储器D、只读存储器

考题 下列说法正确的是()。A、半导体RAM信息可读写,且断电后仍能保持记忆。B、半导体存储器属挥发性存储器,而静态RAM是非挥发性的。C、静态RAM、动态RAM都属挥发性存储器,断电后信息将丢失。D、ROM不用刷新,断电后信息将丢失。

考题 存储器可随机读写,但必须定时刷新才能保持其中的数据不会丢失的是()A、RAMB、VRAMC、DRAMD、SRAM

考题 存储器芯片内容通过紫外线州照射,可擦除所有信息,然后还可写入新的信息,并可多次使用的是()。A、EPROMB、PROMC、ROMD、CDROM

考题 日常使用的Mp3播放器采用的存储器是()。A、数据既能读出,又能写入,所以是RAMB、数据在断电的情况下不丢失,所以是磁性存储器C、静态RAM,稳定性好,速度快D、闪存,可更新信息,断电后信息不丢失

考题 对PROM而言,述正确的是() ①信息一旦写入便不能再改变; ②信息可多次写入; ③断电后不会丢失所存储的信息;A、①,②B、①,②,③C、②,③D、①,③

考题 存储器可随机读写,但必须定时刷新才能保持其中的数据不会丢失的是().A、RAMB、VRAMC、DRAM

考题 存储器芯片内容通过紫外线州照射,可擦除所有信息,然后还可写入新的信息,并可多次使用的是()。A、EPROMB、PROMC、ROM

考题 单选题用作存储器的芯片有不同的类型。可随机读写,且只要不断电则其中存储的信息就可一直保存的,称为(1);可随机读写,但即使在不断电的情况下其存储信息也要定时刷新才不致丢失的是(2):所存信息由生产厂家用掩膜技术写好后就无法再改变的称为(3);通过紫外线照射后可擦除所有信息,然后重新写入新的信息并可多次进行的是(4);通过电信号可在数秒内快速删除全部信息,但不能进行字节级别删除操作的是(5)。 空白(2)处应选择()A RAMB VRAMC DRAMD SRAM

考题 单选题下列说法描述错误的是()A 随机存储可随时存取信息,断电后信息丢失B 主存储器的信息是不可改变的C E2PROM是可电改写的只读存储器D PROM制成后只可写入一次

考题 单选题用作存储器的芯片有不同的类型。可随机读写,且只要不断电则其中存储的信息就可一直保存的,称为(1);可随机读写,但即使在不断电的情况下其存储信息也要定时刷新才不致丢失的是(2):所存信息由生产厂家用掩膜技术写好后就无法再改变的称为(3);通过紫外线照射后可擦除所有信息,然后重新写入新的信息并可多次进行的是(4);通过电信号可在数秒内快速删除全部信息,但不能进行字节级别删除操作的是(5)。 空白(1)处应选择()A RAMB VRAMC DRAMD SRAM