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共模仰制比KCMR是（）之比。

  • A、差模输入信号与共模输入信号
  • B、输出量中差模成分与共模成分
  • C、差模放大倍数与共模放

参考答案

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考题 共模抑制比KCMR是差模电压放大倍数与共模电压放大倍数的比值,KCMR越大,差动放大电路的性能越好。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 差分放大电路的长尾电阻的主要功能是(),而提高共模抑制比。A、抑制共模信号B、抑制差模信号C、放大共模信号D、既抑制共模信号又抑制差模信号
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考题 有关共模抑制比说法正确的是()。A、差模放大倍数与共模放大倍数之比的绝对值B、值越小说明差分放大器性能越好C、共模放大倍数与差模放大倍数之比的绝对值D、以上说法均错误
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考题 共模抑制比KCMRR是()。 A、差模输入信号与共模输入信号之比B、输入量中差模成份与共模成份之比C、差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比D、交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)之比
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考题 理想集成运放特点有开环差模电压放大倍数AU为∞、差模输入电阻Ri为∞、输出电阻RO为0、共模抑制比KCMR为∞、通频带为∞、零漂和失调为0。此题为判断题(对，错)。
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考题 共模抑制比KCMR是（）A.差模输入信号与共模输入信号之比 B.输入量中差模成份与共模成份之比 C.差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）之比 D.交流放大倍数与直流放大倍数（绝对值）之比
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考题 已知某差动放大电路的差模放大倍数为100，共模放大倍数为2，则共模抑制比KCMR为（）A.100 B.50 C.1/50 D.1/100
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考题 共模抑制比KCMR反映了集成运算放大器对共模信号的抑制能力，通常用（）来表示。A、差模放大倍数AUD与共模放大倍数AUC之比B、差模放大倍数AUD与共模放大倍数AUC之比的绝对值C、共模放大倍数AUC与差模放大倍数AUD之比D、共模放大倍数AUC与差模放大倍数AUD之比的绝对值
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考题 射野在模体内参考点深度处与准直器开口不变时参考射野在同一深度处的剂量率之比是（）A、模体散射因子B、模体输出因子C、组织模体比D、模体组织空气比E、模体散射剂量比
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考题 模体中射野中心轴上任意一点的散射线剂量率与空间同一点模体中射野中心轴上最大剂量点处有效原射线剂量率之比是（）A、模体散射因子B、模体输出因子C、组织模体比D、模体组织空气比E、散射最大剂量比
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考题 （）是指盐田有效制卤面积与有效结晶面积之比。A、蒸结比B、蒸发比C、面积比D、有效比
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考题 集成运放的共模抑制比越大，抑制共模信号能力越强。（）
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考题 共模抑制比KCMR越大，表明电路（）。A、放大倍数越稳定B、交流放大倍数越大C、抑制零点漂移能力越强D、输入信号中差模成分越大
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考题 共模抑制比KCMR是（）之比。A、差模输入信号与共模输入信号B、输出量中差模成分与共模成分C、差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）D、交流放大倍数与直流放大倍数（绝对值）
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考题 衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是（）A、差模电压放大倍数B、差模抑制比C、共模电压放大倍数D、共模抑制比
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考题 在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻Re对（）信号的放大无影响，对（）信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比KCMR为（）之比。
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考题 边模抑制比指的是全调制条件下OTU发射模块主纵模的（）与（）之比
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考题 集成运算放大器共模抑制比CMRR指放大器的（）A、差模输入信号与共模输入信号之比B、交流电压放大倍数与直流电压放大倍数（绝对值）之比C、输出量中差模成份与共模成份之比D、差模电压放大倍数与共模电压大倍数（绝对值）之比
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考题 共模抑制比越大，差放电路分辨差模信号的能力越强，受共模信号的影响越小。
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考题 共模抑制比KCMR为（）之比，KCMR越大，表明电路对（）的抑制能力越强。
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考题 理想集成放大器的开环差模电压放大倍数AVO为（）共模抑制比KCMR为（），差模输入电阻为（）。
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考题 共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A、放大倍数越稳定B、交流放大倍数越大C、抑制温漂能力越强D、输入信号中的差模成分越大
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考题 共摸抑制比KCMR越大，表明电路（）。A、放大倍数越稳定B、交流放大倍数越大C、抑制零票能力越强D、输入信号中的差模成分越大
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考题 差模放大倍数Ad是（）之比。A、输出的变化量与输入变化量B、输出差模量与输入差模量C、输出共模量与输入共模量D、输出直流量与输入直流量
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考题 共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A、放大倍数越稳定B、交流放大倍数越大C、抑制温漂能力越强D、输入信号中差模成分越大
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考题 衡量差动放大电路性能质量的指标是（）。A、差模放大倍数AdB、共模放大倍数ACC、共模抑制比KCMRRD、输出电压u0
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考题 共模抑制比KCMR越大，抑制放大电路的零点飘移的能力越强。
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