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影响放大电路通频带下限频率fL的是（）电容和（）电容。

参考答案

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考题 放大电路引入交流负反馈扩展频带,表现为:() A、下限频率降低B、上限频率升高C、通频带变宽D、下限频率升高E、上限频率降低F、通频带变窄
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考题 放大电路的频率响应:() A、上、下限频率处的电压增益为中频增益的0.707倍B、通频带越宽、电路的频率响应越好C、影响电路低频响应的主要因素是隔直耦合电容D、信号频率高于上限频率时、随信号频率的增加增益下降
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考题 影响放大电路高频特性的主要因素是()。A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体极间电容和分布电容的存在C、半导体的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适
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考题 放大电路的电压放大倍数在低频区下降的主要原因是耦合电容和旁路电容的影响。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 放大器的放大倍数当信号频率低于通频带下限时下降，高于上限时增大。
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考题 放大电路中上限频率与下限频率之间的频率范围称为放大电路的通频带。
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考题 放大电路中上限频率与下限频率之间的频率范围称为放大电路的（）A、额定频率B、通频带C、反馈频率D、截止频率
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考题 影响放大电路上限频率的因素主要有三极管的结间电容。
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考题 影响放大电路低频区域频率特性的主要元件是（）。A、耦合电容B、管子内部结电容C、偏置电阻D、发射结电阻
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考题 单级共射放大电路与由这样两个单级构成的多级放大电路相比较，多级放大电路的电压放大倍数值（），上限频率fH（），下限频率fL（），通频带BW（）。
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考题 放大电路在信号的高频段时，放大倍数下降的原因是（）A、耦合电容和旁路电路的存在B、晶体管极间电容和分布电容的存在C、晶体管非线性的影响D、放大电路的静态工作点设置不合理
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考题 影响放大电路高频特性的主要因素是（）A、耦合电容和旁路电容的存在B、放大电路的静态工作点不合适C、半导体管的非线性特性D、半导体管极间电容和分布电容的存在
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考题 影响放大电路下限频率的因素主要有（）。A、三极管的结间电容B、耦合电容C、分布电容D、电源的滤波电容
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考题 放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是（）。A、耦合电容和旁路电容的影响B、晶体管极间电容和分布电容的影响C、晶体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点设置不合适
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考题 影响放大电路通频带下限频率的是（）电容和电容（）。
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考题 放大电路的低频段，影响频率响应的主要原因是级间耦合电容。
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考题 为了降低RC耦合放大器的下限频率fL，应选择（）.A、较大的级间耦合电容B、较小的级间耦合电容C、较小的三极管级间电容
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考题 在阻容放大电路中，耦合电容是影响放大电路（）截止频率的主要因素， 三极管结电容是影响放大电路（）截止频率的主要因素。
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考题 当放大电路输入耦合电容容量减小时，对Lf、Hf影响是（）A、fL降低、fH不变B、fL升高、fH不变C、fL不变、fH降低D、fL不变、fH升高
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考题 放大电路的低频段，影响频率的主要原因是（）A、级间耦合电容B、发射极旁路电容C、三极管极间电容
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考题 在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是（）电容，影响高频信号放大的是（）电容。
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考题 一个放大电路的中频增益为40dB，则在下限频率fL处的增益为（）dB，在上限频率fH处的电压放大倍数为（）倍。上限频率fH与下限频率fL之差称为放大电路的（）或（）
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考题 在阻容耦合放大电路中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值（）。
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考题 下列方法中，不能扩展放大器通频带的方法是（）A、在电路中引入负反馈B、采用共射—共基组合放大器C、在共射放大电路的基极接入补偿电容D、采用高频磁性材料制作的磁心
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考题 影响放大器下限频率fL的因素是（）。A、晶体管β值B、晶体管α值C、PN结电容D、耦合电容
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考题 三极管的结间电容是影响放大电路（）的主要因素。A、上限频率B、下限频率C、中频段特性D、低频段附加相移
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考题 三极管的结间电容是影响放大电路什么的主要因素（）。A、上限频率B、下限频率C、中频段特性D、低频段附加相移
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