考题
当NPN型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uCuB()uBuE
A、大于，大于B、大于，小于C、小于，小于D、小于，大于
考题
NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为Uc=9V,UB=0.7V,UE=0V,则该晶体管的工作状态是()
A、饱和B、正常放大C、截止
考题
TTL电路是晶体管£晶体管逻辑电路,它由NPN或PNP型晶体管组成,CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路,由绝缘栅场效应管组成。()
此题为判断题(对，错)。
考题
在放大电路中，若测得某晶体管三个电极的电位分别为7V，1.2V，1V，则该管为：（）。A.NPN型硅管
B.PNP型硅管
C.NPN型锗管
D.PNP型锗管
考题
NPN型晶体管处于放大状态时，各级的电位关系是（）。A、UC﹥UE﹥UBB、UC﹥UB﹥UEC、UC﹤UB﹤UE
考题
固定偏置放大电路中，晶体管的β=50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC将（）。A、增加B、减少C、基本不变D、无法判断
考题
TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路，它由NPN或PNP型晶体管组成，CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路，由绝缘栅场效应管组成。
考题
测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5、3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A、硅PNP型B、硅NPN型C、锗PNP型D、锗NPN型
考题
在NPN型晶体三极管放大电路中，基极与发射极短路，则晶体管（）A、深度饱和B、将截止C、集电极正偏D、发射结反偏
考题
在放大电路中，若测得某晶体管3个极的电位分别为6V、1.2V、1V，则该管为（）A、NPN型硅管B、PNP型锗管C、NPN型锗管D、PNP型硅管
考题
当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uC（）uB（）uE。
考题
在一个由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入电压为1kHz，100mV的正弦波时，输出电压波形出现了顶部失真，这种失真是（）
考题
在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是（）。A、PNP管的集电极B、PNP管的发射极C、NPN管的发射极D、NPN管的基极
考题
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、NPN型硅管D、PNP型硅管
考题
经测试某电路中晶体管的基极电位为0.7V，发射极电位为0V，集电极电位为5V，则该管是（）型的晶体管，工作在（）状态。
考题
固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC将（）A、增加B、减少C、基本不变
考题
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为6V、5.3V、0V，则该管为（）A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
考题
三极管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地电位分别为：VA=—5V、VB=—8V、VC=—5。2V，则三极管对应的电极是：A为（）极、B为（）极，C为（）极。晶体管属（）型三极管。
考题
在NPN型晶体管放大电路中，如果集电极与基极短路，则（）A、晶体三极管将深度饱和B、晶体三极管将截止C、晶体三极管的集电极将正偏
考题
已知某NPN型晶体管处于放大状态，测得其三个电极的电位分别为6V、9V和6.3V，则三个电极分别为（）。A、发射极、基极和集电极B、基极、发射极和集电极C、集电极、基极和发射极
考题
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为UE＝6V，UB=5.3V，UC=0V，则该管为（）。A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
考题
有关NPN晶体管的描述错误的是（）A、如果晶体管中基极电流不流通，则集电极电流不流通B、光电晶体管有一个特性，即在有光照射时切断电流C、晶体管可以用作开关D、晶体三极管具有放大电流的功能
考题
单选题测得某个NPN型晶体管E、B、C三个电极电位分别为0.4V、0.2V和1.5V可判断该管处于（）工作状态。A
完全截止B
完全导通C
线性放大D
饱和导通
考题
单选题NPN型晶体管处于放大状态时，管脚电位应有（）。A
VC＞VE＞VBB
VC＞VB＞VEC
VC＞VB＞VED
VB＞VE＞VC
考题
单选题在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是（）。A
PNP管的集电极B
PNP管的发射极C
NPN管的发射极D
NPN管的基极
考题
单选题测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A
硅PNP型B
硅NPN型C
锗PNP型D
锗NPN型
考题
单选题固定偏置放大电路中，晶体管的β=50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC将（）。A
增加B
减少C
基本不变D
无法判断