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斜探头向工件中辐射的横波,是基于压电效应由PZT晶片直接激发出来的。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案

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考题 超声探头的组成及其作用,不正确的是A、核心部分是压电材料,具有压电效应B、晶片背面填充吸声材料,有提高轴向分辨力的作用C、晶片前面贴以匹配层,除起保护晶片的作用外,无助于提高探头灵敏度D、电缆部分,仅提供高频电脉冲,无其他功能E、晶片前面的面材,有时还可改善声束聚焦

考题 超声波是由超声波探伤仪产生()并施加于探头,利用其晶片的压电效应而获得。 A、反射B、衍射C、电振荡D、衰减

考题 为了使工件只有单一的横波,斜探头入射角应选择在()和第二临界角之间。

考题 下列关于压电效应和压电材料的描述,正确的是A.在压电晶片上施加机械压力其表面可产生电荷,这种现象为逆压电效应B.在压电晶片上施加交变电信号可产生晶片的机械振动,这种现象为正压电效应C.压电材料的厚度与超声响应频率无关D.压电材料一般需要磁场极化处理E.与高频率超声探头相比,低频率超声探头采用较薄的压电材料

考题 用水浸法检查工件时,通常用于产生横波的方法是()A.用纵波垂直于界面发射到工件中去 B.用两个不同振动频率的晶片 C.沿Y轴切割石晶英晶体 D.适当地倾斜探头

考题 为了在工件中得到纯横波,对于斜探头的选择除了入射角以外还应考虑()A.斜楔材料的纵波声速小于工件中的横波声速 B.斜楔材料的纵波声速大于工件中的横波声速 C.斜楔材料的纵波声速大于工件中的纵波声速 D.以上都可以

考题 探头前保护膜的声阻抗公式,(Z=声阻抗)应是()A.Z保护膜=(Z晶片+Z工件)1/2 B.Z保护膜=(Z晶片-Z工件)1/2 C.Z保护膜=(Z晶片xZ工件)1/2 D.Z保护膜=(Z晶片/Z工件)1/2

考题 为了在工件中得到纯横波,对于斜探头的选择应考虑()A.合适的入射角 B.合适的斜楔材料的纵波声速 C.合适的斜楔材料的横波声速 D.A和C

考题 【单选题】单晶直探头发射超声波时,是利用压电晶片的()。A.压电效应B.逆压电效应C.电涡流效应D.无法确定