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晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()

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考题 关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积
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考题 晶体三极管放大作用需满足的条件有()。 A.内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B.内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C.外部条件，发射结正偏，集电结反偏D.外部条件，发射结反偏。集电结反偏
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考题 晶体管能够放大的内部条件是()。 A.两个背靠背的PN结B.自由电子与空穴都参与导电C.有三个掺杂浓度不同的区域D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大
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考题 关于三极管,不正确的描述是() A.基区薄且低掺杂B.发射区高掺杂C.发射结面积大D.集电结面积大
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考题 晶体管结构特点是：发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。
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考题 以下哪个条件不能使晶体管具有良好的放大性能A．发射结正偏，集电结也正偏B．发射区高掺杂C．基区宽度较小D．集电区低掺杂
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考题 制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
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考题 11、为保证放大模式的应用，BJT在工艺制造中需满足（）。A．发射区掺杂浓度最高B．基区宽度极薄C．集电结面积远远大于发射结面积D．发射区和集电区掺杂浓度一样E．基区足够宽F．集电结面积和发射结面积一样大
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考题 7、要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（）。A．增大基区掺杂浓度B．减小基区掺杂浓度C．增大基区宽度D．减小基区宽度
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