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存储器的技术指标包括______、存取时间和存取周期、可靠性、功耗。
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考题
和动态MOS存储器比较,双极性半导体存储器的性能是( )。A.集成度低,存取周期快,位平均功耗大B.集成度低,存取周期慢,位平均功耗小C.集成度高,存取周期快,位平均功耗小D.集成度高,存取周期慢,位平均功耗大
考题
16、下列关于主存存取速度说法错误的是A.存取周期(Memory Cycle Time)是指存储器进行连续两次独立的存储器操作所需的总时间B.存取时间又称为存储器的访问时间,是指启动一次存储器操作到完成该操作所需的全部时间C.存取时间分读出时间和写入时间两种D.通常存取周期大于存取时间
考题
半导体存储器的主要技术指标有,存储容量和存取时间。
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