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半导体存储器中,动态RAM的特点是( )

A.信息在存储介质中移动

B.按字结构方式存储

C.按位结构方式存储

D.每隔一段时间要进行一次刷新


参考答案

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考题 在虚拟存储器中,辅存的编址方式是(13)。A.按信息块编址B.按字编址C.按字节编址D.按位编址

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考题 在半导体存储器中,动态RAM的特点是( )。A.信息在存储介质中移动B.按字结构方式存储C.按位结构方式存储D.每隔一定时间要进行一次刷新

考题 半导体存储器中,动态RAM是指( )。A.信息在存储介质中移动B.按字结构方式存储C.按位结构方式存储D.每隔一段时间要进行一次刷新

考题 在Intel 2164动态RAM存储器中,对存储器刷新的方法是( )。A.每次一个单元B.每次刷新512个单元C.每次刷新256个单元D.一次刷新全部单元

考题 在虚拟存储器中,辅存的编址方式是(73)。A.按信息编址B.按字编址C.按字节编址D.按位编址

考题 半导体只读存储器(ROM)与半导体随机存取存储器(RAM)的主要区别在于()。A.在掉电后,ROM中存储的信息不会丢失,RAM信息会丢失B.掉电后,ROM信息会丢失,RAM则不会C.ROM是内存储器,RAM是外存储器D.RAM是内存储器,ROM是外存储器

考题 内存按存储方式可以分为()存储器(RAM)和()存储器(ROM)

考题 在半导体存储器中,动态随机存储器DRAM的特点是______。A.按位结构方式存储B.按字结构方式存储C.信息在存储介质中移动D.每隔一定时间刷新一次

考题 在虚拟存储器中,辅有的编址方式是(16)。A.按信息块编址B.按字编址C.按字节编址D.按位编址

考题 在半导体存储器中,动态RAM的特点是A.按字结构方式存储B.按位结构方式存储C.每隔一定时间要刷新一次D.信息在存储介质中移动

考题 下面说法正确的是()。A.ROM不用刷新,但集成度比动态RAM高,但断电后存储的信息消失 B.半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆 C.静态RAM和动态RAM都是易失性存储器,断电后存储的信息消失 D.动态RAM属于非易失性存储器,而静态RAM存储的信息断电后信息消失

考题 半导体只读存储器(ROM)与半导体随机存储器(RAM)的主要区别在于()。A、在断电后,ROM中存储的信息不会丢失,RAM信息会丢失B、ROM是内存储器,RAM是外存储器C、断电后,ROM信息会丢失,RAM则不会丢失D、ROM是外存储器.RAM内存储器

考题 静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同?为什么动态MOS存储器需要刷新?一般有哪几种刷新方式?

考题 下列说法正确的是()。A、半导体RAM信息可读写,且断电后仍能保持记忆。B、半导体存储器属挥发性存储器,而静态RAM是非挥发性的。C、静态RAM、动态RAM都属挥发性存储器,断电后信息将丢失。D、ROM不用刷新,断电后信息将丢失。

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考题 按存储的工作方式分类,存储器可分为()。A、软盘、硬盘、光盘B、半导体存储器、磁表面存储器、光存储器C、RAM、ROM、BIOSD、随机读写存储器、顺序读写存储器、只读存储器

考题 在半导体存储器中,动态RAM的特点是()。A、信息在存储介质中移动B、每隔一定时间进行一次刷新C、按字结构方式存储D、按位结构方式存储

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考题 单选题在半导体存储器中,动态随机存储器DRAM的特点是()。A 按位结构方式存储B 按字结构方式存储C 信息在存储介质中移动D 每隔一定时间进行一次刷新