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3.3V的TTL电平器件可以直接驱动5V的CMOS器件。( )
此题为判断题(对，错)。
参考答案
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考题
下列关于74HCT系列逻辑器件输入输出电平的描述中，正确的是(27)。A．输入为TTL电平，输出为TTL电平B．输入为CMOS电平，输出为TTL电平C．输入为TTL电平，输出为CMOS电平D．输入为CMOS电平，输出为CMOS电平
考题
● 下列关于74HCT 系列逻辑器件输入输出电平的描述中，正确的是 （27） 。（27）A. 输入为TTL电平，输出为TTL电平B. 输入为CMOS 电平，输出为TTL电平C. 输入为TTL电平，输出为CMOS 电平D. 输入为CMOS 电平，输出为CMOS 电平
考题
17、如下有关TTL、CMOS、RS-232接口电路的电平特性描述正确的有（）；A．三者的电平范围定义不同B．前两者是正逻辑电平，后者是负逻辑电平C．三类器件不能直接互连D．三类电平可以互相转换
考题
5、如下有关TTL、CMOS、RS-232接口电路的电平特性描述正确的有（） 答案1. 三者都是正逻辑电平。 答案2. 前两者是正逻辑电平，后者是负逻辑电平。 答案3. 三类器件可以直接互连。 答案4. 三类电平可以互相转换。A．错误B．正确C．错误，电平不同无法直接连接D．正确，可通过电平转换器件进行转换。
考题
2、下列说法中，哪些是错误的A．对CMOS结构的NAND3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，高电平驱动能力与低电平驱动能力相同B．对CMOS结构的NAND3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，高电平驱动能力是低电平驱动能力的3倍C．对CMOS结构的NAND3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，低电平驱动能力是高电平驱动能力的3倍D．对CMOS结构的NOR3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，高电平驱动能力是低电平驱动能力的3倍
考题
5、如下有关TTL、CMOS、RS-232接口电路的电平特性描述正确的有（）A．三者都是正逻辑电平。B．前两者是正逻辑电平，后者是负逻辑电平。C．三类器件可以直接互连。D．三类电平可以互相转换。
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