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CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。()
此题为判断题(对,错)。
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考题
场效应管特性曲线仿真。要求: 1.分别选择一N沟道增强型MOS管、一P沟道耗尽型MOS管,仿真其伏安特性曲线。 2.对比这两个伏安特性曲线,寻找其差别。
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