考题
三极管作为开关使用时，要提高开关速度，可降低饱和深度。()
考题
在NPN三极管放大电路中,如果集电极与基极短路,则()。
A.三极管将深度饱和B.三极管将截止C.三极管的集电结将是正偏
考题
如果三极管的发射结反偏,则三极管处于的状态是()
A、放大B、饱和C、截止D、倒置
考题
在三极管放大电路中，若Rb=∞，则三极管工作在（）状态。A、截止B、放大C、饱和D、导通
考题
NPN型三极管放大器中，若三极管的基极与发射极短路，则（）A、三极管集电结将正偏B、三极管处于截止状态C、三极管将深度饱和D、三极管发射结将正偏
考题
在NPN型晶体三极管放大电路中，基极与发射极短路，则晶体管（）A、深度饱和B、将截止C、集电极正偏D、发射结反偏
考题
对于同一种炉料而言，电流的频率越高，则穿透深度越深。
考题
在静止液体中液体密度越大、深度越深，则该点压强也越大。
考题
在静止液体中，液体密度（），深度越深，则该总压强也越大。
考题
对于液体内部而言，液面下的深度越深，则该点的压强应越（）。
考题
静压力是随深度按直线规律变化的，即点的位置越深，则压力就越大。
考题
为了提高反相器的负向抗干扰能力，应使晶体三极管工作在深度饱和状态。
考题
晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管所处的状态是饱和状态
考题
在NPN三极管放大电路中，如果集电极与基极短路，则（）。A、三极管将深度饱和B、三极管将截止C、三极管的集电结将是正偏
考题
在NPN型三极管放大电路中，如果基极与发射极短路则表示（）。A、管子深度饱和B、管子截止C、集电极正偏压
考题
在固定偏置放大电路中，若偏置电阻Rb断开，则（）。A、三极管会饱和B、三极管可能烧毁C、三极管发射结反偏
考题
三极管作为开关使用时，要提高开关速度，可（）A、降低饱和深度B、增加饱和深度C、采用有源泄放回路D、采用抗饱和三极管
考题
在NPN型晶体管放大电路中，如果集电极与基极短路，则（）A、晶体三极管将深度饱和B、晶体三极管将截止C、晶体三极管的集电极将正偏
考题
一个产品线上的产品项目越多，则产品组合的深度越深。
考题
三极管作开关应用时，当开关断开时，则该三极管处于（）。 A、放大区B、饱和区C、截止区D、击穿区
考题
饱和系数越大（）。A、饱和深度越深B、导通电阻越大C、导通电流越大D、导通压降越大
考题
单选题在NPN型晶体管放大电路中，如果集电极与基极短路，则（）A
晶体三极管将深度饱和B
晶体三极管将截止C
晶体三极管的集电极将正偏
考题
多选题三极管作为开关使用时，要提高开关速度，可（）。A降低饱和深度B增加饱和深度C采用有源泄放回路D采用抗饱和三极管