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CCD（电荷耦合器件）的基本单元是MOS电容，在P型硅基质上，通过氧化生成的氧化膜，即二氧化硅绝缘层，再在绝缘层上通过蒸发和（）形成条形金属电极就构成了MOS结构。

  • A、光刻技术
  • B、转移电荷
  • C、光电效应
  • D、光电转化

参考答案

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考题 MOS是()的简称。 A、电荷耦合器件B、金属氧化物半导体C、电荷引动元件D、其他
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考题 构成CCD的基本单元是:_______ AP型硅BPN结C光敏二极管DMOS电容器
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考题 结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
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考题 DRAM是靠MOS电路中的栅极电容上的电荷来记忆信息的。为了防止数据丢失，需定时给电容上的电荷进行补充，这是通过以一定的时间间隔将DRAM各存储单元中的数据读出并再写入实现的，该过程称为DRAM的______。
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考题 CCD扫描器采用（CCD）的电子自动扫描光电转换器（）A、电荷耦合器件B、激光为光源
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考题 单极型集成电路不包含（）.A、普通晶体管（NPN管或PNP管）B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS（即CMOS）
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考题 构成CCD的基本元件是（）A、P型硅B、PN结C、发光二极管D、MOS电容器
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考题 CCD的中文说法是电荷耦合器件。（）
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考题 CCD扫描器采用电荷耦合器件（CCD）的电子自动扫描光电转换器。
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考题 结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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考题 场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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考题 UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
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考题 开关电容滤波器包含：（）。A、MOS开关B、MOS运放C、电容D、电阻
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考题 非晶硅太阳能电池的基本构造是下列的哪种？（）A、梳状电极→减反膜→n型硅→p型硅→反电极B、梳状电极→TCO→p型硅→i型硅→n型硅→SSC、梳状电极→TCO→n型硅→p型硅→i型硅→导电玻璃D、梳状电极→TCO→p型硅→n型硅→i型硅→SS
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考题 CCD图像传感器的基本单元是一个（）电容器。
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考题 电荷耦合器件CCD传感器是由许多感光单元组成，通常以百万像素为单位，以（）作为信号载体。
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考题 构成CCD的基本单元是（）。A、P型硅B、PN结C、光敏二极管D、MOS电容器
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考题 构成CCD的基本单元是（）A、P型硅B、PN结C、光电二极管D、MOS电容器
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考题 CCD图像传感器是按一定规律排列的MOS电容器组成的阵列。
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考题 某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
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考题 CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
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考题 问答题CCD是一种电荷耦合器件，CCD的突出特点是以什么作为信号，CCD的基本功能是什么？
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考题 判断题CCD的中文说法是电荷耦合器件。（）A 对B 错
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考题 单选题CCD扫描器采用（CCD）的电子自动扫描光电转换器（）A 电荷耦合器件B 激光为光源
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考题 单选题电荷耦合器件分（）A 线阵CCD和面阵CCDB 线阵CCD和点阵CCDC 面阵CCD和体阵CCDD 体阵CCD和点阵CCD
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考题 填空题MOS场效应晶体管分为四种基本类型：（）、（）、P沟增强型、P沟耗尽型。
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考题 单选题构成CCD的基本元件是（）A P型硅B PN结C 发光二极管D MOS电容器
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