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在某放大电路中，测得三极管静态电位VBE=0.2V、VCE=4V，则这只三极管为（）。

  • A、NPN硅管
  • B、NPN锗管
  • C、PNP硅管
  • D、PNP锗管

参考答案

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考题 某放大电路中,测得三极管三个极静态电位分别为7V,2.7V,2V,则这只三极管是() A、NPN型的硅管B、NPN型的锗管C、PNP型的硅管D、PNP型的锗管
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考题 在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是()。A、NPN 型硅管B、NPN 型锗管C、PNP 型硅管D、PNP 型锗管
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考题 在单管固定偏置共射极放大电路中,若测得三极管的静态管压降UCE近似等于电源电压UCC时,则该管工作状态为()。 A.饱和B.截止C.放大D.不能确定
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考题 在某放大电路中，测得三极管静态电位VBE =0.2V、VCE = 4V，则这只三极管为( )。A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管
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考题 在由PNP型三极管构成的放大电路中，静态时测得三个管脚对“地”的单位分别是VC=-9V，VE=-3V，VB=-3.7V，可知三极管处于( )状态。 A.截止 B.放大 C.饱和 D.短路
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考题 在由PNP型三极管构成的放大电路中，静态时测得三个管脚对“地”的单位分别是：Vc=-9V，VE=-3V，VB=-3.7V，可知三极管处于（　　）。A．截止状态 B．放大状态 C．饱和状态 D．短路状态
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考题 在放大电路中，若测得某三极管的三个极电位分别为-2.5V、-3.2V、-9V，这三极管的类型是（）。A、PNP型Ge管B、PNP型Si管C、NPN型Ge管NPN型Si管D、以上说法都不对
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考题 温度影响放大电路的静态工作点的原因是影响了放大电路中的（）。A、电阻B、电容C、三极管
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考题 今在电路中测得晶体三极管的三个管脚的电位分别为4V、3.4V和9V，说明这个晶体三极管是NPN型硅管。
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考题 在共射放大电路中，偏置电阻Rb增大，三极管的（）。A、VCE减小B、Ic减小C、Ic增大
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考题 在由PNP型三极管构成的放大电路中,静态时测的三个管脚对"地"的电位分别是:Vc=-9V,VE=-3V,VB=-3.7V可知三极管处于（　）。A、截止状态B、放大状态C、饱和状态D、短路状态
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考题 在NPN晶体三极管组成的共射极放大电路中，如果测得UCE小于或等于UBE，该三极管处于（）状态。A、截止B、放大C、饱和D、无法确定
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考题 对于PNP三极管，在正常放大电路中，发射极电位最低，基极电位次之，集电极最高。
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考题 静态时，三极管放大电路中各处的电压、电流均为直流量。
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考题 某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压UA=1.2V，UB=0.5V，UC=3.6V。试问该三极管是？
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考题 在放大电路中，三极管静态工作点用（）表示。A、Ib、Ic、UceB、IB、IC、UCEC、iB、iC、uCE
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考题 在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）A、NPN硅管B、NPN锗管C、PNP硅管D、PNP锗管
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考题 当NPN型BJT的VCE＞VBE且VBE＞0.5V时，则BJT工作在（）。A、截止区B、放大区C、饱和区D、击穿区
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考题 在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降近似等于电源电压时，则该管工作状态为（）。A、饱和B、截止C、放大D、不能确定
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考题 在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（）A、NPN型硅管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、PNP型锗管
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考题 在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降UCE近似等于电源电压UCC时，则该管工作状态为（）A、饱和B、截止C、放大D、不能确定
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考题 测得某PNP型三极管各极点位为：UB=-3V，UE=-4V，UC=-6V，则该管工作于（）A、放大状态B、饱和状态C、截止状态
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考题 三极管组成的放大电路在工作时，测得三极管上各电极对地直流电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，则此三极管已处于（）。A、放大区B、饱和区C、截止区D、击穿区
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考题 某三极管各电极电位为VE=0V、VB=4V、VC=12V，由此可判断该三极管（）。A、处于放大区域B、处于饱和区域C、处于截止区域D、已损坏
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考题 在共发射极放大电路中，PNP三极管的发射极电位（）.A、最低B、最高C、为正电位D、为负电位
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考题 NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管（）A、集电极对发射极的电压VCE下降B、基极电流增大C、集电极对发射极的电压VCE上升
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考题 问答题某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压UA=1.2V，UB=0.5V，UC=3.6V。试问该三极管是？
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