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SCL的后期工艺流程包括：蚀刻标记、水合、萃取、品控、染色、封口灭菌和贴标签。
参考答案
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考题
下列关于SCL的分装工序中,哪项顺序是正确的()。
A、蚀刻标记—萃取—水合—品控—染色—封口灭菌—贴标签B、蚀刻标记—水合—萃取—品控—染色—封口灭菌—贴标签C、蚀刻标记—水合—萃取—染色—品控—封口灭菌—贴标签D、水合—蚀刻标记—萃取—品控—染色—封口灭菌—贴标签
考题
32P标记了玉米体细胞（含20条染色体）的DNA分子双链，再将这些细胞转入不含32P的培养基中培养，在第二次细胞分裂的中期、后期，一个细胞中的染色体总条数和32P标记的染色体条数分别是（）A、中期20和20、后期40和20B、中期20和10、后期40和20C、中期20和20、后期40和10D、中期20和10、后期40和10
考题
下列有关丹剂的制备工艺流程，正确的是（）A、配料→封口→坐胎→烧炼→收丹→去火毒B、配料→烧炼→坐胎→封口→收丹→去火毒C、配料→坐胎→烧炼→封口→收丹→去火毒D、配料→收丹→坐胎→封口→烧炼→去火毒E、配料→坐胎→封口→烧炼→收丹→去火毒
考题
香兰素的分离精制工艺流程正确的是（）。A、反应→缩合→萃取→水洗→结晶→重结晶→产品B、反应→萃取→缩合→水洗→结晶→重结晶→产品C、反应→缩合→水洗→结晶→重结晶→萃取→产品D、反应→缩合→结晶→重结晶→萃取→水洗→产品
考题
单选题硅片制备主要工艺流程是（）A
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B
单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C
单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
考题
单选题下列有关丹剂的制备工艺流程，正确的是（）A
配料→封口→坐胎→烧炼→收丹→去火毒B
配料→烧炼→坐胎→封口→收丹→去火毒C
配料→坐胎→烧炼→封口→收丹→去火毒D
配料→收丹→坐胎→封口→烧炼→去火毒E
配料→坐胎→封口→烧炼→收丹→去火毒
考题
单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）A
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B
单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包D
单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
考题
问答题简述超临界萃取工艺流程中萃取器与分离器中的现象？引起现象的原因。
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