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当电源内阻为R0时,负载R1获得最大输出功率的条件是()。
- A、R1>R0
- B、R1<R0
- C、R1=2R0
- D、R1=R0
参考答案
更多 “当电源内阻为R0时,负载R1获得最大输出功率的条件是()。A、R1>R0B、R1<R0C、R1=2R0D、R1=R0” 相关考题
考题
将ARM处理器R0中的一个字节的数据,存入由R1+4指示的内存区域,且地址自动更新,则使用的ARM指令是()。A.STR R0,[R1,4]B.STRH R0,[R1,4]!C.STRH R0,[R1,4]D.STRB R0,[R1,4]!
考题
已知ARM处理器R1=0x12345678, R2=0xFF008899,则执行指令AND R0,R1,R2后,寄存器R0=(13)__________________,R1=(14)___________________。
考题
ARM处理器将R0中一个字的数据,存入由R1指示的内存区域,则使用的指令是()。A.STR R0,[R1]B.LDR R0,[R1]C.STRH R0,[R1]D.STRB R0,[R1]
考题
如果条件为负数,将R1指向的内存单元中8位数据加载到R0寄存器中,正确的ARM指令为:()。A.LDRPL R0,[R1]B.LDRMI R0,[R0]C.LDRHMI R1,[R0]D.LDRBMI R0,[R1]
考题
已知R0=0x10,R1=0x20,R2=0x08,R3=0xFFFFFFF3,则指令LSL R0,R0,R2执行后,R0=___【13】___,指令MVN R1,R3执行后R1=___【14】___。
考题
下列哪条指令把寄存器R1、R2的值相加后存到R0中.()A、AND R0, R1, R2B、SUB R0, R1, R2C、ADD R0, R1, R2D、AND R1, R2, R0
考题
ARM处理器将R0中一个字的数据,存入由R1指示的内存区域,则使用的指令是()。A、STR R0,[R1]B、LDR R0,[R1]C、STRH R0,[R1]D、STRB R0,[R1]
考题
阅读下列程序,回答问题:
LDR R0, 0x22
LDR R1, 0x11
SUB R0, R0, R1
CMP R0, R1
执行上述程序后,CPSR的下列哪个标志位将发生变化()A、 CB、 VC、 ZD、 以上都不对
考题
金属导电环式结冰信号器的受感器中装有热敏电阻R0和加温电阻R1,当受感器感受的温度在0°以下时,在()A、飞机未结冰时,R1通电而R0阻值减小B、飞机未结冰时,R1不通电而R0阻值增大C、飞机结冰时,R1通电而R0阻值保持不变D、飞机结冰时,R1不通电而R0阻值保持不变
考题
单选题阅读下列程序,回答问题:
LDR R0, 0x22
LDR R1, 0x11
SUB R0, R0, R1
CMP R0, R1
执行这段程序后,R0的值为()A
0x22B
0x33C
0x11D
0
考题
单选题下列哪条指令把寄存器R1、R2的值相加后存到R0中.()A
AND R0, R1, R2B
SUB R0, R1, R2C
ADD R0, R1, R2D
AND R1, R2, R0
考题
单选题如果条件为负数,将R1指向的内存单元中8位数据加载到R0寄存器中,正确的ARM指令为()。A
LDRPL R0,[R1]B
LDRMI R0,[R0]C
LDRHMI R1,[R0]D
LDRBMI R0,[R1]
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