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硅正流元件是用半导体为主要材料做成的固体正流元件。


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考题 硅正流元件是用半导体为主要材料做成的固体正流元件。此题为判断题(对,错)。

考题 可控硅常用于变流技术,变流分为正变和反变两种,正变也叫( )。A.限流B.整流C.变频

考题 多相整流器的组成是由单组整流元件和对应整流臂组成。常用的整流元件有闸流管、半导体整流二极管、整流硅堆和可控硅元件等。

考题 PST-1200变压器保护中,差动保护的启动元件包括( ),任一启动元件动作,则保护启动。A、差流突变量启动元件,零序电流辅助启动元件B、相电流突变量启动元件,零序电流辅助启动元件C、差流越限启动元件,相电流突变量启动元件D、差流突变量启动元件,差流越限启动元件

考题 高峰负荷期间重点检查各路负荷是否超过(),检查较小载流元件有无发热现象。A、最小载流元件B、较小载流元件C、额定载流元件

考题 对硅机组的均流系数越(),则正向电流在并联支路元件中分配的越均匀。

考题 硅机组的均流系数是一个小于1的数,其值越大,则正相电流在并联支路(元件)中的分配就越()。

考题 平面板杆薄壁结构的受力特点是()。A、板元件可以承受在板平面内的分布力,包括剪流和拉伸(或压)应力B、外载荷可以作用在杆元件的端头,也可以作用在杆元件的中间C、板元件只受剪流作用,杆元件只受轴力作用D、板元件只受剪流作用,杆元件受剪流和轴力作用

考题 可控硅常用于变流技术,变流分为正变和反变两种,正变也叫()。A、限流B、整流C、变频

考题 霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件,常用()及锑化铟等半导体材料制成。A、锗B、硅C、砷化镓D、砷化铟

考题 硅元件的电流保护过流是利用熔断器。

考题 硅机组的均流系数是流过每支路(元件)正相电流的平均值与并联支路(元件)中()。

考题 晶闸管元件是一种用半导体材料制成的可控()元件。它的单向导电与否是()的。

考题 用万用表测量半导体元件的正、反向电阻时,应用()档,不能用高阻档,以免损坏半导体元件。

考题 PTC是一种()的半导体发热元件。A、硅B、正温度系数的热敏电阻C、锗D、负温度系数的热敏电阻

考题 霍尔元件是采用半导体材料制成的。

考题 霍尔元件多采用N型半导体材料,常用材质为()A、硅B、锗C、硫化铅D、硒化镉

考题 某元件功率为正(P〉0),说明该元件()功率,则该元件是()。

考题 固体半导体摄像机所使用的固体摄像元件为()A、LCDB、LEDC、CBDD、CCD

考题 用指针式万用表测试硅元件的正向电阻时,万用表的黑表笔应接硅元件的负极,红表笔接硅元件的正极

考题 当发生电压回路断线后,LFP901A微机保护只保留的保护元件是()A、工频变化量距离元件ΔZ,非断线相的ΔF方向元件,不带方向的Ⅲ段过流元件,自动投入一段PT断线下零序过流和相电流过流元件B、自动投入一段PT断线下零序过流和相电流过流元件C、工频变化量距离元件ΔZ,非断线相的ΔF方向元件D、工频变化量距离元件ΔZ,非断线相的ΔF方向元件,自动投入一段PT断线下零序过流和相电流过流元件

考题 填空题用万用表测量半导体元件的正、反向电阻时,应用()档,不能用高阻档,以免损坏半导体元件。

考题 单选题某元件功率为正,则该元件是()。A 电源B 负载

考题 单选题某元件功率为正,说明该元件()功率。A 产生B 吸收

考题 单选题固体半导体摄像元件简称()A CCDB VCDC VTRD VCR

考题 单选题熔体在挤出机螺杆的流动可看成四种流动的组合:()A 正流、压力流、横流、漏流B 正流、逆流、横流、竖流C 正流、负流、横流、漏流D 正流、压力流、横流、竖流

考题 填空题晶闸管元件是一种用半导体材料制成的可控()元件。它的单向导电与否是()的。