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判断题
真空电弧主要是由于触头蒸发的金属蒸汽形成的而不是碰撞游离。
A

B


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考题 熄灭电弧的条件() A.使触头闸间电弧中的去游离率大于游离率B.使触头闸间电弧中的去游离率大于游离率C.升高温度使电弧中的热游离增强D.降低温度使电弧中的正负离子减少

考题 断路器熄灭电弧的主要措施( )。A.提高触头间的开断速度B.用冷却绝缘介质降低电弧温度,削弱热发射和热游离作用以熄灭电弧C.减小绝缘介质气体压力,提高热游离几率,降低复合几率,促使电弧熄灭D.采用绝缘介质吹弧,使电弧拉长,增大冷却面,提高传热率E.将触头置于真空密闭中

考题 在触头分离瞬间,对电弧形成起决定性作用的是()。 A.热发射和热游离B.强电场发射和碰撞游离C.热发射和强电场发射D.热游离和碰撞游离

考题 以下关于电弧的产生与熄灭的描述中,正确的是(  )。 A. 电弧的形成主要是碰撞游离所致 B. 维持电弧燃烧所需的游离过程是碰撞游离 C. 空间电子主要是由磁撞游离产生的 D. 电弧的熄灭过程中空间电子数目不会减少

考题 真空断路器由于其触头在真空中,产生的电弧小,但灭弧慢。A对B错

考题 电弧形成后,使电弧得以维持和发展的是()A电弧电压B电弧电流C碰撞游离D热游离

考题 高压开关电器熄灭交流电弧的基本方法,有()A利用灭弧介质,如SF6、真空、氢气。氢的灭弧能力为空气7.5倍;SF6气体的灭弧能力比空气约强100倍;用真空作为灭弧介质,减少了碰撞游离的可能性,真空的介质强度约为空气的15倍。B用特殊金属材料作灭弧触头,如铜、钨合金或银钨合金。C提高断路器触头的分断速度,迅速拉长电弧;D采用多断口熄弧,在相等的触头行程下,多断口比单断口的电弧拉长,而且拉长的速度也增加,加速了弧隙电阻的增大。同时,由于加在每个断口的电压降低,使弧隙恢复电压降低,亦有利于熄灭电弧。

考题 电弧游离方式的热电发射是触头分断电流时,阴极表面由于大电流逐渐收缩集中,而出现炽热的光斑,温度很高,触头表面分子外层电子吸收足够的热能,发射到触头间隙,形成自由电子。A对B错

考题 触头的电磨损是由触头间电弧的高温使触头金属化和蒸发造成的,机械磨损是由触头接触面撞击造成的。

考题 要使电弧熄灭,必须使触头间电弧中的去游离率大于游离率。

考题 真空间隙击穿产生的电弧,是在()蒸发出来的金属蒸气中形成的。A、金属屏蔽罩B、金属触头C、金属波纹管D、外壳

考题 真空灭弧室中的动、静触头断开过程中,产生电弧的主要因素是依靠触头产生的金属蒸汽使触头间产生电弧

考题 灭弧能力越强,越存在操作过电压。真空断路器的灭弧能力很强,但由于其触头分断时,还存在热电子发射,从而形成金属蒸发电弧,并示在交流电流过零时熄灭,故真空断路器不存在操作过电压。

考题 电弧产生之初自由电子的形成是由于()A、热电发射B、热游离C、高电场发射D、碰撞游离

考题 真空灭弧室在断开电流时,触头间的电子、离子、金属蒸气在横向磁场的作用下迅速扩散并被吸附在屏蔽罩上,密度迅速下降,触头间很快形成(),使电弧熄灭。A、真空间隙B、小段电弧C、冷却D、去游离

考题 在真空的电弧随触头分离而()A、慢慢熄灭B、不会熄灭C、迅速熄灭D、忽大忽小

考题 开关电器中电弧的形成是触头间具有电压以及气体分子被游离的结果。

考题 真空断路器由于其触头在真空中,产生的电弧小,但灭弧慢。

考题 电器中的电弧是由于触头断开线路而产生的。

考题 真空断路器的主触头在真空中,所以没有电弧,也不设灭弧室。

考题 高压换向吕接能器的熄弧角主要是用来()熄灭。A、将电弧隔断B、将电弧缩短C、将电弧引离主触头D、将电弧引入主触头

考题 真空断路器触头开断过程中,主要依靠()形成电弧。A、触头产生的金属蒸汽B、触头间隙介质的碰撞游离C、触头间隙介质的热游离D、触头间隙介质的碰撞游离和触头间隙介质的热游离

考题 电弧游离方式的热电发射是触头分断电流时,阴极表面由于大电流逐渐收缩集中,而出现炽热的光斑,温度很高,触头表面分子外层电子吸收足够的热能,发射到触头间隙,形成自由电子。

考题 电弧游离方式的高电场发射是触头分断初,电场强度很大,触头表面的电子可被强拉出去,进入触头间隙,形成自由电子。

考题 单选题真空断路器触头开断过程中,主要依靠()形成电弧。A 触头产生的金属蒸汽B 触头间隙介质的碰撞游离C 触头间隙介质的热游离D 触头间隙介质的碰撞游离和触头间隙介质的热游离

考题 判断题真空断路器由于其触头在真空中,产生的电弧小,但灭弧慢。A 对B 错

考题 判断题真空断路器的主触头在真空中,所以没有电弧,也不设灭弧室。A 对B 错