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氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。
参考答案
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考题
关于多晶硅和非晶硅电池，以下说法错误的是（）A、在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡献。B、非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。C、多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。D、与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应（S-W效应），但其光电转化效率随温度升高下降较慢。
考题
单选题下列探测器产生的图像质量由好到坏的排序是（ ）。A
非晶硅-非晶硒-CCDB
CCD-非晶硅-非晶硒C
非晶硒-非晶硅-CCDD
非晶硅-CCD-非晶硒E
CCD-非晶硒-非晶硅
考题
单选题非晶硅平板探测器基本结构为（ ）。A
碘化铯闪烁体层、硒层和集点矩阵层、行驱动电路、图像信号读取电路B
碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路C
硒层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路D
非晶硅层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路E
碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、硒层和集点矩阵层、图像信号读取电路
考题
单选题DiscoveryXR656和飞天V无线平板探测器材质是（）A
非晶硒B
碘化铯非晶硅C
氧化钆非晶硅D
CCD
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