网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)
关于SRAM的写操作周期,下列说法错误的是( )。

A.CE端为低电平
B.R/W'端为高电平
C.地址出现在address线上
D.数据出现在data线上

参考答案

参考解析
解析:SRAM的写操作周期是:①CE=0,启用该芯片,②R/W'=0,③地址出现在address线上,数据出现在data线上。
更多 “关于SRAM的写操作周期,下列说法错误的是( )。A.CE端为低电平 B.R/W'端为高电平 C.地址出现在address线上 D.数据出现在data线上” 相关考题
考题 关于EDRAM(增强动态随机存取存储器)芯片的说法中,错误的是()。 A.在DRAM芯片上集成了一个SRAM实现的小容量高速缓冲存储器,从而使DRAM芯片的性能得到显著改进B.芯片内的数据输出路径与输入路径没有分开C.在SRAM读出期间可同时对DRAM阵列进行刷新D.芯片内的数据输出路径与输入路径是分开的,允许在写操作完成的同时来启动同一行的读操作

考题 关于总线周期的叙述正确的是()A、CPU完成一次读/写操作所需的时间为一个总线周期B、不同类型的CPU总线周期所含的T周期数可能不同C、总线周期可能要插入Tw周期D、总线周期就是指令周期

考题 下列存储器中,存储周期最短的是A.硬盘存储器B.CD-ROMC.DRAMD.SRAM

考题 关于SRAM的写操作周期,下列说法错误的是(50)。A.CE端为低电平B.R/W'端为高电平C.地址出现在address线上D.数据出现在data线上

考题 关于网络操作系统提供的打印服务,下列说法错误的是( )

考题 以下关于SRAM(静态随机存储器)和DRAM(动态随机存储器)的说法中,正确的是( )。A.SRAM的内容是不变的,DRAM的内容是动态变化的B.DRAM断电时内容会丢失,SRAM 的内容断电后仍能保持记忆C.SRAM的内容是只读的,DRAM的内容是可读可写的D.SRAM和DRAM都是可读可写的,但DRAM的内容需要定期刷新

考题 下列存储器中,存取周期最短的是______。A.硬盘存储器B.CD-ROMC.DRAMD.SRAM

考题 下列关于SRAM的叙述,正确的是A.SRAM是一种随机存储器B.SRAM是一种易失性存储器,断电则丢失存储信息C.SRAM需要刷新操作,不定时刷新,数据会丢失D.SRAM速度快,通常用来制作高速缓存E.SRAM芯片与CPU连接时要注意时序匹配

考题 关于Cache的更新策略,下列说法正确的是()。A.读操作时,全写法和写回法在命中时应用 B.写操作时,写回法和按写分配法在命中时应用 C.读操作时,全写法和按写分配法在失效时应用 D.写操作时,按写分配法、不按写分配法在失效时应用

考题 下列关于横道图特点的说法,错误的是( )。A:计划直观、简单 B:容易操作 C:便于理解 D:不易操作

考题 关于元素周期表,下列说法错误的是()。A、7个周期中的元素数是相同的B、所有的周期都是完全的C、表中有长周期

考题 以下关于DRAM和SRAM说法正确的是()A、DRAM具有双稳态特性B、SRAM将每个位存储为对一个电容的充电C、DRAM主要用于主存,帧缓冲区D、SRAM对干扰非常敏感

考题 关于ARM Cortex-M处理器的特点,以下说法错误的是()。A、功能强B、耗电少C、RISC结构D、多周期操作

考题 以下哪项关于SRAM和DRAM的区别是不对的。()A、SRAM比DRAM慢B、SRAM比DRAM耗电多C、DRAM存储密度比SRAM高得多D、DRM需要周期性刷新

考题 以下哪项关于SRAM和DRAM的区别是不对()A、SRAM比DRAM慢B、SRAM比DRAM耗电多C、DRAM存储密度比SRAM高得多D、DRM需要周期性刷新

考题 关于菰,下列说法错误的是()。A、植株高度较高B、生长周期较短C、生长于水中D、花朵较大

考题 下列关于基线风险评估的特点说法不正确的是()A、经济有效B、准确细致C、周期较短D、操作简单

考题 下列哪一项不是CDRAM的优点()A、采用猝发式读取B、在SRAM读出期间,可同时对DRAM阵列进行刷新C、允许在写操作完成的同时来启动同一行的读操作D、读写操作与系统时钟同步,有利于提高系统的工作效率

考题 以下关于DRAM和SRAM说法错误的是()A、DRAM将每个位存储为对一个电容的充电B、SRAM对光干扰敏感,对电干扰不敏感C、SRAM主要用于高速缓存D、SRAM具有双稳态特性

考题 关于固态硬盘(SSD)下列说法错误的是()A、SSD是基于闪存的存储技术B、顺序读和写性能相当,顺序读比顺序写稍微快一点C、随机写很慢D、SSD不易磨损

考题 以下关于SRAM和DRAM的区别描述中,()是不对的。A、SRAM比DRAM慢B、SRAM比DRAM耗电多C、DRAM存储密度比SRAM高得多D、DRAM需要周期性刷新

考题 下列关于RAM的说法中,错误的是()A、DRAM芯片电路简单,集成度高,工耗小,成本低B、SRAM芯片电路复杂,集成度低,工耗大,成本高C、DRAM工作速度快,适合用作CacheD、无论是DRAM还是SRAM,当关机或断电时,其中的信息都将随之丢失

考题 关于SRAM和DRAM,下面说法正确的是()。A、SRAM需要定时刷新,否则数据会丢失B、DRAM使用内部电容来保存信息C、SRAM的集成度高于DRAMD、只要不掉点,DRAM内的数据不会丢失

考题 单选题下列哪一项不是CDRAM的优点()A 采用猝发式读取B 在SRAM读出期间,可同时对DRAM阵列进行刷新C 允许在写操作完成的同时来启动同一行的读操作D 读写操作与系统时钟同步,有利于提高系统的工作效率

考题 单选题下列有关Flash存储器的描述,不正确的是()A Flash存储器属于非易失的存储器B Flash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同C Flash存储器的写操作与SDRAM存储器的写操作基本相同D Flash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息

考题 单选题关于ARM Cortex-M处理器的特点,以下说法错误的是()。A 功能强B 耗电少C RISC结构D 多周期操作

考题 单选题关于固态硬盘(SSD)下列说法错误的是()A SSD是基于闪存的存储技术B 顺序读和写性能相当,顺序读比顺序写稍微快一点C 随机写很慢D SSD不易磨损