网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:
题目内容
(请给出正确答案)
关于SRAM的写操作周期,下列说法错误的是( )。
A.CE端为低电平
B.R/W'端为高电平
C.地址出现在address线上
D.数据出现在data线上
B.R/W'端为高电平
C.地址出现在address线上
D.数据出现在data线上
参考答案
参考解析
解析:SRAM的写操作周期是:①CE=0,启用该芯片,②R/W'=0,③地址出现在address线上,数据出现在data线上。
更多 “关于SRAM的写操作周期,下列说法错误的是( )。A.CE端为低电平 B.R/W'端为高电平 C.地址出现在address线上 D.数据出现在data线上” 相关考题
考题
关于EDRAM(增强动态随机存取存储器)芯片的说法中,错误的是()。
A.在DRAM芯片上集成了一个SRAM实现的小容量高速缓冲存储器,从而使DRAM芯片的性能得到显著改进B.芯片内的数据输出路径与输入路径没有分开C.在SRAM读出期间可同时对DRAM阵列进行刷新D.芯片内的数据输出路径与输入路径是分开的,允许在写操作完成的同时来启动同一行的读操作
考题
关于总线周期的叙述正确的是()A、CPU完成一次读/写操作所需的时间为一个总线周期B、不同类型的CPU总线周期所含的T周期数可能不同C、总线周期可能要插入Tw周期D、总线周期就是指令周期
考题
以下关于SRAM(静态随机存储器)和DRAM(动态随机存储器)的说法中,正确的是( )。A.SRAM的内容是不变的,DRAM的内容是动态变化的B.DRAM断电时内容会丢失,SRAM 的内容断电后仍能保持记忆C.SRAM的内容是只读的,DRAM的内容是可读可写的D.SRAM和DRAM都是可读可写的,但DRAM的内容需要定期刷新
考题
下列关于SRAM的叙述,正确的是A.SRAM是一种随机存储器B.SRAM是一种易失性存储器,断电则丢失存储信息C.SRAM需要刷新操作,不定时刷新,数据会丢失D.SRAM速度快,通常用来制作高速缓存E.SRAM芯片与CPU连接时要注意时序匹配
考题
关于Cache的更新策略,下列说法正确的是()。A.读操作时,全写法和写回法在命中时应用
B.写操作时,写回法和按写分配法在命中时应用
C.读操作时,全写法和按写分配法在失效时应用
D.写操作时,按写分配法、不按写分配法在失效时应用
考题
下列哪一项不是CDRAM的优点()A、采用猝发式读取B、在SRAM读出期间,可同时对DRAM阵列进行刷新C、允许在写操作完成的同时来启动同一行的读操作D、读写操作与系统时钟同步,有利于提高系统的工作效率
考题
下列关于RAM的说法中,错误的是()A、DRAM芯片电路简单,集成度高,工耗小,成本低B、SRAM芯片电路复杂,集成度低,工耗大,成本高C、DRAM工作速度快,适合用作CacheD、无论是DRAM还是SRAM,当关机或断电时,其中的信息都将随之丢失
考题
关于SRAM和DRAM,下面说法正确的是()。A、SRAM需要定时刷新,否则数据会丢失B、DRAM使用内部电容来保存信息C、SRAM的集成度高于DRAMD、只要不掉点,DRAM内的数据不会丢失
考题
单选题下列哪一项不是CDRAM的优点()A
采用猝发式读取B
在SRAM读出期间,可同时对DRAM阵列进行刷新C
允许在写操作完成的同时来启动同一行的读操作D
读写操作与系统时钟同步,有利于提高系统的工作效率
考题
单选题下列有关Flash存储器的描述,不正确的是()A
Flash存储器属于非易失的存储器B
Flash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同C
Flash存储器的写操作与SDRAM存储器的写操作基本相同D
Flash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息
考题
单选题关于固态硬盘(SSD)下列说法错误的是()A
SSD是基于闪存的存储技术B
顺序读和写性能相当,顺序读比顺序写稍微快一点C
随机写很慢D
SSD不易磨损
热门标签
最新试卷