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关于记忆细胞的错误理解是

A.已接受抗原刺激
B.仅限于B细胞
C.可生存数月到数年
D.参加淋巴细胞再循环
E.再次遇到抗原时能迅速增殖和分化

参考答案

参考解析
解析：
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考题 关于老年人记忆的特点，描述错误的是（）A、回忆能力减退B、意义记忆好于机械记忆C、初级记忆差于次级记忆D、再认能力减退
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考题 关于免疫记忆的叙述，下列哪项是错误的（）A、免疫应答过程中可产生Bm、TmB、在免疫应答的分化阶段，小部分细胞分化为记忆细胞，大部分分化为效应细胞C、记忆细胞表达CD45RAD、记忆细胞表面分子表达有改变E、再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生
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考题 关于免疫记忆的叙述，下列哪一项是错误的（）A、体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象B、Bm是再次应答的主要APCC、免疫应答过程中可产生Tm和BmD、TI-Ag和TD-Ag均可引起回忆应答E、记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的
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考题 下列关于细胞免疫和体液免疫的描述中，错误的一项是（）A、都能产生抗体B、都属于特异性免疫C、都能产生记忆细胞D、都需要T细胞
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考题 理解力是记忆的综合作用，既有的记忆越多，理解力就越强。
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考题 中学生最主要的识记方法是（）。A、形象记忆B、有意记忆C、无意记忆D、理解记忆
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考题 关于记忆细胞的正确理解是（）。A、已接受过抗原刺激B、可生存数月或数年C、参加淋巴细胞再循环D、再次遇到相同抗原时能迅速活化、增殖和分化E、以上都正确
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考题 关于免疫记忆，下列哪项是错误的？（）A、免疫应答过程中可产生Bm、TmB、免疫应答的分化阶段，小部分细胞分化为记忆细胞，大部分分化为效应细胞C、记忆细胞表达CD45RAD、记忆细胞表面分子表达有改变E、再次应答可引起比初次免疫更强的抗体产生
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考题 单选题关于记忆细胞的正确理解是（　　）。A 已接受过抗原刺激B 可生存数月或数年C 参加淋巴细胞再循环D 再次遇到相同抗原时能迅速活化、增殖和分化E 以上都正确
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考题 单选题关于老年人记忆的特点，描述错误的是（）A 回忆能力减退B 意义记忆好于机械记忆C 初级记忆差于次级记忆D 再认能力减退
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考题 单选题关于记忆概念的理解，错误的是（）。A 记忆是人脑对过去经历过的事物的反映B 包括识记、保持、再认或再现三个基本环节C 按保持时间长短可分为感觉记忆、短时记忆、长时记忆D 短时记忆又称瞬时记忆，具有物理特性编码，有鲜明的形象性E 保持过程是对识记材料的存储和巩固
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考题 单选题关于记忆细胞的错误理解是（　　）。A 已接受抗原刺激B 仅限于B细胞C 可生存数月到数年D 参加淋巴细胞再循环E 再次遇到抗原时能迅速增殖和分化
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考题 单选题关于免疫记忆的叙述，下列哪项是错误的（）A 免疫应答过程中可产生Bm、TmB 在免疫应答的分化阶段，小部分细胞分化为记忆细胞，大部分分化为效应细胞C 记忆细胞表达CD45RAD 记忆细胞表面分子表达有改变E 再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生
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