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结晶过程包括( )两个阶段。

A.静置

B.晶体颗粒变大

C.成核

D.晶体生长


参考答案

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考题 熔体结晶化过程包括 、晶体生长两个过程。

考题 35、结晶过程包括在三个步骤:()A.形成过饱和溶液、晶体生长和重结晶B.晶核形成、晶体生长和重结晶C.晶核形成、形成过饱和溶液和晶体生长D.形成过饱和溶液、晶核形成和晶体生长

考题 晶体生长大致可以分为晶核的_____________两个阶段。

考题 过冷度低时,成核密度低,晶体生长快,易形成粗粒结构。

考题 熔体的冷却析晶相变,主要通过成核、晶体生长等二个过程来实现,成核速率与晶体生长速率两曲线的重叠区通常称为“析晶区”。当析晶热处理温度设在“析晶区”中较低的过冷度⊿T 处,其析晶现象是晶粒()。A.多而细B.少而粗C.多而粗D.少而细

考题 结晶包括三个过程 、 晶核的形成 和 晶体生长。

考题 晶体生长大致可以分为晶核的_____________两个阶段。A.形成B.孵化C.生长D.团聚

考题 熔体的冷却析晶相变,主要通过成核、晶体生长等二个过程来实现,成核速率和晶体生长速率都与过冷度⊿T 有关,只有在一定的过冷度下才能有最大的成核和生长速率。与晶体生长速率曲线的峰值相比,成核速率曲线的峰值一般位于()。A.较大过冷度⊿T 处B.较小过冷度⊿T 处C.同一过冷度⊿T 处D.不能确定

考题 在熔体析晶的过程中,为获得尺寸、数量合适的晶粒,需严格控制过冷度,为获得尺寸大而数量少的晶粒,在控制过冷度时,需使析晶温度控制在()。A.晶体生长速率较大而成核速率相对较小处B.成核速率较小且晶体生长速率较小处C.晶体生长速率较小而成核速率较大处D.成核速率较大且晶体生长速率较大处