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单晶硅谐振式压力(差压)变送器在单晶硅芯片上采用微电子机械加工技术,在其表面的中心和边缘制作成两个形状、大小完全一致的H形状的谐振梁,分别将压力或差压信号转换为( ), 送到脉冲计数器,再将两频率之差直接送到微处理器进行数据处理,将D/A换转后输出4~20mADc信号,两频率之差对应不同的压力信号.

A.电流信号

B.电压信号

C.电容变化

D.频率信号

参考答案

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考题 目前在电石厂中大量使用的1151系列差压(压力)变送器其结构及原理是属于()。 A.力平衡式压力变送器B.扩散硅压力变送器C.霍尔式压力变送器D.电容式压力变送器
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考题 U型液柱压力计、弹簧管压力表、压力开关和差压变送器四种类型的测压仪表中,可以用来测绝对压力的是()。 A.压力开关B.弹簧管压力表C.差压变送器D.无
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考题 活塞式压力计通常用来校验（）。A.标准压力表和普通压力表B.普通压力表和差压C.压力变送器D.测高压和中压
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考题 振弦式压力(差压)变送器主要由( )磁、铁、激振器、膜片及测频率电路.A.谐振梁B.电容C.振弦D.硅油
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考题 单晶硅谐振式压力(差压)变送器的核心部件是( ).A.电容B.硅谐振器(谐振梁)C.振弦D.硅油
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考题 压阻式压力传感器是利用单晶硅的压阻效应而构成,采用单晶硅片为弹性元件。此题为判断题(对，错)。
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考题 电解槽槽压控制是由（）反馈的。A、温度变送器B、压力变送器C、差压变送器D、就地压力表
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考题 采用单晶硅的压阻式压力变送器采用单晶硅片为弹性元件，在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺，在单晶硅的特定方向扩散一组（）电阻，并将电阻接成桥路。A、不等值B、等值C、线性值D、非线性值
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考题 U型液柱压力计、弹簧管压力表、压力开关和差压变送器四种类型的测压仪表中，可以用来测绝对压力的是（）。A、压力开关B、弹簧管压力表C、差压变送器D、无
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考题 压阻式压力传感器，当压力发生变化式，单晶硅产生应变，使直接扩散在上面的应变电阻成比例的变化，再由放大电路获得相应的电压输出信号。
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考题 压阻式压力传感器，当压力发生变化时，单晶硅产生应变，使直接扩散在上面的应变电阻成比例的变化，再由方大电路获得相应的电压输出信号。
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考题 按照检测元件分类，差压变送器主要有（）和振弦式差压变送器等。A、膜盒式差压变送器B、电容式差压变送器C、扩散硅式差压变送器D、电感式差压变送器
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考题 EJA智能变送器包含（）的主要部件。A、单晶硅谐振式传感器B、输入放大电路C、输出放大电路D、精度补偿传感器
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考题 为了解决引压管被腐蚀或者堵塞等问题，宜采用（）测量液位。A、单法兰式差压变送器B、双法兰式差压变送器C、法兰式差压变送器D、敏感元件测量变送器
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考题 测量界面的仪表，一般采用（）。A、浮筒式液面计B、转子式液位计C、法兰式差压变送器D、普通差压变送器
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考题 精度最高、稳定性最好、零漂最小的是（）A、扩散硅压力变送器B、单晶硅谐振压力变送器C、电容式压力变送器
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考题 压阻式压力传感器是利用单晶硅的压阻效果而构成，采用（）为弹性元件。A、应变片B、压电片C、弹性元件D、单晶硅片
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考题 压阻式压力传感器是利用单晶硅的电阻效应二构成，采用（）为弹性元件A、应变片B、压电片C、弹性元件D、单晶硅片
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考题 振弦式差压变送器的基本原理，就是将压力或压差的变化转换成振弦张力的变化，使谐振电路的谐振频率变化，检测输这个频率就检测到了差压的变化。
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考题 压阻式压力传感器是根据半导体材料（单晶硅）的（）原理制成的传感器。A、压电效应B、压阻效应C、电量变化D、电容变化
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考题 压力变送器中的敏感元件是（）。A、包端（弹簧）管和波纹管B、膜片和膜盒C、单晶硅D、电阻
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考题 EJA智能变送器主要由以下几部分组成（）A、单晶硅谐振式传感器B、智能电器转换部件C、输出放大电路D、精度补偿传感器
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考题 关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是（）。A、扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成B、其硅片上沿单晶硅的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥C、集力敏与力电转换检测于一体D、根据压阻效应，将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流，再根据电流变化与压力大小的非线性关系，推算压力大小。
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考题 法兰式变送器和普通差压变送器的描述错误的是（）A、法兰式变送器的反应比差压变送器迟缓B、法兰式变送器的灵敏度比差压变送器低C、法兰式差压变送器的测量范围受毛细管长度限制D、法兰式变送器比普通差压变送器好修复
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考题 压力（差压）变送器校验时当传压介质为液体时，应保持变送器取压口的几何中心与活塞式压力计的活塞下端面（或标准器取压口的几何中心）在（）。
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考题 单选题压阻式压力传感器中的硅膜片通常是（）。A 单晶硅B 多晶硅C 非晶硅D 硅蓝宝石
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考题 单选题关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是（）。A 扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成B 其硅片上沿单晶硅的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥C 集力敏与力电转换检测于一体D 根据压阻效应，将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流，再根据电流变化与压力大小的非线性关系，推算压力大小。
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