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晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等,若du/dt过大,就会使晶闸管出现______,若di/dt过大,会导致晶闸管______。


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考题 有关晶闸管的特点,说法错误的是()。 A.晶闸管关断时,若两端所加电压是正向电压晶闸管处于截止状态B.晶闸管关断时,若正向电压加到器件上,晶闸管由截止变为导通C.晶闸管导通时,若正向电压继续加在器件上,即使撤掉外电路注入的门极电流IG,晶闸管仍然导通D.晶闸管承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都会导通

考题 逆变桥由4个晶闸管组成。每个晶闸管均串有空心电感以限制晶闸管导通时的() A、电流变化B、电流上升率C、电流上升D、电流

考题 如果通过晶闸管的通态电流上升率过大,而其他一切满足规定条件时,则晶闸管将()。 A、误导通B、有可能因局部过热而损坏C、失控D、关闭

考题 变压器漏抗对整流电路的影响有()。A、输出电压平均值降低B、整流电路的工作状态增多C、晶闸管的di/dt减小D、换相时晶闸管电压出现缺口

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考题 用晶闸管变流装置与直流电动机组成的直流调速系统中,多台变流器共用一台整流 变压器时,每台变流器分别通过进线电抗器供电。以下对进线电抗器所起作用的描述中正确 的是( 〉。 A.限制晶闸管导通时的di/dt; B.限制短路时的短路电流上升率; C.提高变流器输入电压; D.改善电源电压波形,消除变流器运转时对电源系统的公害。

考题 20、提高晶闸管di/dt耐量主要从()考虑。A.设置放大门极,提高触发强度;B.减小.电流容量;C.减小电压耐量;D.设计较复杂的门极结构,增大初始导通面积。

考题 关于关断缓冲电路,表述正确的是:A.di/dt抑制电路又称为关断缓冲电路,用于吸收器件的关断过电压和换相过电压。B.du/dt抑制电路又称为关断缓冲电路,用于吸收器件的关断过电压和换相过电压,抑制du/dt,减小关断损耗。C.关断缓冲电路用于抑制器件的电流过冲和di/dt。D.du/dt抑制电路又称为关断缓冲电路,用于吸收器件的关断过电压和换相过电压,抑制du/dt,减小器件的开通损耗。

考题 【单选题】逆变桥由4个晶闸管组成。每个晶闸管均串有空心电感以限制晶闸管导通时的()A.电流变化B.电流上升率C.电流上升D.电流