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二极管的击穿分两种,一种是()击穿,另一种为()击穿。

A.雪崩、齐纳

B.虚、实

C.电压、电流

D.PN、NP

参考答案

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考题 二极管的击穿分两种,分别是()。 A、正向击穿B、反向击穿C、雪崩击穿D、齐纳击穿
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考题 二极管因所加过高反向电压而击穿、烧毁的现象称为()。 A、齐纳击穿B、雪崩击穿C、热击穿
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考题 当半导体二极管的反向击穿电压大于6V,主要发生何种击穿现象?() A.雪崩击穿B.齐纳击穿C.热击穿D.碰撞击穿
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考题 在下述几种击穿现象中，哪些击穿是可逆的？A．齐纳击穿；B．雪崩击穿；C．热击穿；D．以上都可以
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考题 5、以下说法错误的是（）。A．电击穿包括齐纳击穿和雪崩击穿两种，只要反向电流控制在一定范围内，是可以逆转的。B．稳压二极管在正常工作时外加反偏电压，所以无需串联限流电阻。C．齐纳击穿的本质是场致电离，对电场强度的要求很高D．雪崩击穿的本质是碰撞电离，要求少子在电场中漂移过程中能够获得足够大的动能
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考题 【单选题】PN结发生反向击穿的机理分为两种,分别为雪崩击穿和齐纳击穿,其中,雪崩击穿发生在（B)的PN结中,击穿电压VBR（)。A．重掺杂B．轻掺杂C．较高D．较低
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考题 按击穿的原理区分，PN结的击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿。
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考题 按击穿的原理区分，PN节的击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿
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考题 3、下列关于PN结反向击穿的描述，错误的是 （）。A．雪崩击穿和齐纳击穿都属于电击穿，在允许的耗散功率内，击穿是可逆的;B．一般情况下，雪崩击穿要求二极管掺杂浓度较高;C．热击穿会导致二极管烧毁，应当避免;D．通常，雪崩击穿的击穿电压高于齐纳击穿的击穿电压。
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