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IGBT的通态压降在1／2或1／3额定电流以下的区段具有______的温度系数,在1／2或1／3额定电流以上的区段则具有______的温度系数,因而IGBT在______使用时也具有电流的自动均衡能力。
参考答案
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考题
下列不是IGBT并联运行的特点的是（ ）A.在1/2或1/3额定电流以下的区段，通态降压具有负的温度系数
B.在1/2或1/3额定电流以上的区段，通态降压具有正的温度系数
C.并联使用时具有电流的自动均衡能力
D.串联使用时具有电流的自动均衡能力
考题
2、在大功率变换器中，单管的电压、电流可能不能满足要求，需要进行器件的串、并联使用，以下有关器件串联和并联的说法，正确的是：A．一组器件的驱动信号要尽量保持一致B．MOSFET不适合并联使用C．BJT的导通电阻具有正温度系数D．IGBT在电流较大时具有负温度系数
考题
下列关于IGBT的工作原理，说法正确的是（）A．IGBT是一种场控器件，其开通和关断是由栅极和发射电压UGE决定的B．IGBT的UGE大于其开启电压UGE(th)时，MOS管中形成导电沟，为输出GTR管提供基极电流,进而使IGBT导通C．由于GTR具有电导调制效应，导通电阻小，使得高耐压的IGBT具有很小通态压降D．当IGBT的栅极不加信号或施加反压时，MOS管导电沟道消失，晶体管被切断，使得IGBT关断
考题
10、MOSFET和IGBT并联运行，表述正确的是下面哪一个？A．型号相同的MOSFET可以并联运行，而IGBT不可以并联运行。B．型号相同的MOSFET和IGBT都不可以并联运行。C．型号相同的MOSFET不可以并联运行，而IGBT可以并联运行。D．型号相同的MOSFET可以并联运行；IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数，也可以并联使用。
考题
下列关于IGBT的工作原理，说法正确的是（）A．IGBT是一种场控器件，其开通和关断是由栅极和发射电压UGE决定的。B．IGBT的UGE大于其开启电压UGE(th)时，MOS管中形成导电沟，为输出GTR管提供基极电流,进而使IGBT导通。C．由于GTR具有电导调制效应，导通电阻小，使得高耐压的IGBT具有很小通态压降。D．当IGBT的栅极不加信号或施加反压时，MOS管导电沟道消失，晶体管被切断，使得IGBT关断。
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