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给出单管DRAM的原理图(西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9 －14b)，问你有什么办法提高refresh time，总共有5个问题，记不起来了。（降低温度，增大电容存储容量）（Infineon笔试）

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考题 机床的传动原理图和传动系统图有什么区别?
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考题 给出一个简单电路，让你分析输出电压的特性（就是个积分电路），并求输出端某点的 rise/fall时间。(Infineon笔试试题)
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考题 画出NOT,NAND,NOR的符号，真值表，还有transistor level的电路。（Infineon笔试
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考题 给出一个简单的由多个NOT,NAND,NOR组成的原理图，根据输入波形画出各点波形。（Infineon笔试）
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考题 画出CMOS晶体管的CROSS-OVER图（应该是纵剖面图），给出所有可能的传输特性和转移特性。（Infineon笔试试题）
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考题 sketch 连续正弦信号和连续矩形波(都有图)的傅立叶变换 。（Infineon笔试试题）
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考题 设想你将设计完成一个电子电路方案。请简述用EDA软件（如PROTEL）进行设计（包括原理图和PCB图）到调试出样机的整个过程。在各环节应注意哪些问题？电源的稳定，电容的选取，以及布局的大小。（汉王笔试）共同的注意点
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考题 给出单管DRAM的原理图(西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9－14b)，问你有什么办法提高*** time，总共有5个问题，记不起来了。（降低温度，增大电容存储容量）（Infineon笔试）
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考题 下图给出了两种LED数码管的内部结构原理图，其中图(a)为共___【23】____极LED数码管，图(b)为共___【24】____极LED数码管。
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考题 我国最早实地报道苏俄情况的记者有A.瞿秋白 B.杨刚 C.俞颂华 D.李宗武 E.萧乾
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考题 采用与上题相同容量的DRAM芯片，则该芯片的地址线条数为（）。A、14B、7C、9D、10
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考题 下面关于DRAM存储器描述错误的是（）A、DRAM存储器需要对存储内容定时刷新B、DRAM存储器具有单位空间存储容量大的特点C、DRAM存储器属于非易失的存储器D、DRAM存储器主要依靠电容的电荷存储效应记忆信息
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考题 就中国汉民族是否有史诗的问题，给出否定的答题的有（）A、王国维B、海涛华C、胡适D、杨牧E、鲁迅
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考题 由单管MOS和分布电容构成的DRAM 只能存储一位信息。
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考题 电原理图的绘制有哪些注意事项？
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考题 我国最早实地报道苏俄情况的记者有（）A、瞿秋白B、杨刚C、俞颂华D、李宗武E、萧乾
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考题 原理图反映了（）关系，功能框图及功能流程图反映了（）系—它们都是建立（）的基础。
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考题 在进行电原理图编辑时，分立元件如电阻、电容、电感、三极管、电位器等元件的电气图形符号存放在（）元件库中。
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考题 图11-40所示桥式整流电容滤波电路，若滤波电容开路，则用直流电压表测得输出电压Uo为（）V。A、14B、12C、9D、4.5
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考题 若火警感温线环为电容性，其电容（）.A、随周围温度升高而增大B、随周围温度降低而增大C、随周围温度升高而变化D、随周围温度升高有时增大有时降低
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考题 填空题在进行电原理图编辑时，分立元件如电阻、电容、电感、三极管、电位器等元件的电气图形符号存放在（）元件库中。
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考题 填空题原理图反映了（）关系，功能框图及功能流程图反映了（）系—它们都是建立（）的基础。
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考题 多选题我国最早实地报道苏俄情况的记者有（）A瞿秋白B杨刚C俞颂华D李宗武E萧乾
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考题 问答题电气控制原理图设计方法有几种？常用什么方法？电气控制原理图的要求有哪些？
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考题 问答题试问单管DRAM单元的读出是不是破坏性的？怎样补充这一不足？（选作）有什么办法提高refresh time？
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考题 判断题由单管MOS和分布电容构成的DRAM 只能存储一位信息。A 对B 错
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