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简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应。
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考题
PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. G
PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. GC. G=1D. G=0
考题
雪崩光电二极管的雪崩倍增效应，是在二极管的P-N结上加（)电压（一般为几十伏或几百伏）在结区形成一个强电场.
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